මෑතකදී, බොහෝ ගනුදෙනුකරුවන් MOSFET ගැන උපදෙස් ලබා ගැනීමට Olukey වෙත පැමිණි විට, ඔවුන් ප්රශ්නයක් අසනු ඇත, සුදුසු MOSFET තෝරා ගන්නේ කෙසේද? මෙම ප්රශ්නය සම්බන්ධයෙන්, Olukey සෑම කෙනෙකුටම පිළිතුරු දෙනු ඇත.
පළමුවෙන්ම, අපි MOSFET හි මූලධර්මය තේරුම් ගත යුතුය. MOSFET හි විස්තර "MOS Field Effect Transistor යනු කුමක්ද" යන පෙර ලිපියෙන් සවිස්තරාත්මකව හඳුන්වා දී ඇත. ඔබ තවමත් අපැහැදිලි නම්, ඔබට මුලින්ම ඒ ගැන ඉගෙන ගත හැකිය. සරලව කිවහොත්, MOSFET වෝල්ටීයතා පාලිත අර්ධ සන්නායක සංරචක වලට අයත් වේ, ඉහළ ආදාන ප්‍රතිරෝධය, අඩු ශබ්දය, අඩු බල පරිභෝජනය, විශාල ගතික පරාසය, පහසු අනුකලනය, ද්විතියික බිඳවැටීම් නොමැති වීම සහ විශාල ආරක්ෂිත මෙහෙයුම් පරාසයක වාසි ඇත.
ඉතින්, අපි නිවැරදිව තෝරා ගත යුත්තේ කෙසේද?MOSFET?
1. N-channel හෝ P-channel MOSFET භාවිතා කරන්නේද යන්න තීරණය කරන්න
පළමුව, පහත දැක්වෙන පරිදි N-channel හෝ P-channel MOSFET භාවිතා කරන්නේද යන්න අපි පළමුව තීරණය කළ යුතුය:
ඉහත රූපයෙන් දැකිය හැකි පරිදි, N-channel සහ P-channel MOSFET අතර පැහැදිලි වෙනස්කම් ඇත. උදාහරණයක් ලෙස, MOSFET භූගත කර ඇති විට සහ භාරය ශාඛා වෝල්ටීයතාවයට සම්බන්ධ කරන විට, MOSFET අධි වෝල්ටීයතා පැති ස්විචයක් සාදයි. මෙම අවස්ථාවේදී, N-channel MOSFET භාවිතා කළ යුතුය. ප්රතිවිරුද්ධ ලෙස, MOSFET බසයට සම්බන්ධ කර ඇති විට සහ බර බිමට පත් වූ විට, පහත් පැත්තේ ස්විචයක් භාවිතා වේ. P-channel MOSFETs සාමාන්යයෙන් යම් ස්ථලකයක් තුළ භාවිතා වේ, එය වෝල්ටීයතා ධාවක සලකා බැලීම් නිසා ද වේ.
2. MOSFET හි අතිරේක වෝල්ටීයතාවය සහ අතිරේක ධාරාව
(1) MOSFET මගින් අවශ්ය අතිරේක වෝල්ටීයතාවය තීරණය කරන්න
දෙවනුව, වෝල්ටීයතා ධාවකය සඳහා අවශ්ය අතිරේක වෝල්ටීයතාවය හෝ උපාංගයට පිළිගත හැකි උපරිම වෝල්ටීයතාවය අපි තවදුරටත් තීරණය කරන්නෙමු. MOSFET හි අතිරේක වෝල්ටීයතාවය වැඩි වේ. මෙයින් අදහස් කරන්නේ MOSFETVDS අවශ්යතා වැඩි වන විට MOSFET පිළිගත හැකි උපරිම වෝල්ටීයතාවය මත පදනම්ව විවිධ මිනුම් සහ තේරීම් සිදු කිරීම විශේෂයෙන් වැදගත් වන බවයි. ඇත්ත වශයෙන්ම, සාමාන්යයෙන්, අතේ ගෙන යා හැකි උපකරණ 20V, FPGA බල සැපයුම 20 ~ 30V, සහ 85 ~ 220VAC 450 ~ 600V වේ. WINSOK විසින් නිෂ්පාදනය කරන ලද MOSFET හට ප්‍රබල වෝල්ටීයතා ප්‍රතිරෝධයක් සහ පුළුල් පරාසයක යෙදුම් ඇති අතර, එය බහුතර පරිශීලකයින් විසින් ප්‍රිය කරනු ලබයි. ඔබට කිසියම් අවශ්‍යතාවයක් ඇත්නම්, කරුණාකර මාර්ගගත පාරිභෝගික සේවාව අමතන්න.
(2) MOSFET මගින් අවශ්ය අතිරේක ධාරාව නිර්ණය කරන්න
ශ්රේණිගත වෝල්ටීයතා තත්ත්වයන් ද තෝරා ගන්නා විට, MOSFET විසින් අවශ්ය වන ශ්රේණිගත ධාරාව තීරණය කිරීම අවශ්ය වේ. ඊනියා ශ්රේණිගත ධාරාව ඇත්ත වශයෙන්ම MOS භාරයට ඕනෑම තත්වයක් යටතේ ඔරොත්තු දිය හැකි උපරිම ධාරාවයි. වෝල්ටීයතා තත්ත්වයට සමානව, පද්ධතිය ධාරා කරල් උත්පාදනය කරන විට පවා, ඔබ තෝරා ගන්නා MOSFET යම් අමතර ධාරාවක් හැසිරවිය හැකි බවට වග බලා ගන්න. සලකා බැලිය යුතු වත්මන් කොන්දේසි දෙකක් වන්නේ අඛණ්ඩ රටා සහ ස්පන්දන කරල් ය. අඛණ්ඩ සන්නායක මාදිලියේදී, උපාංගය හරහා ධාරාව ගලා යන විට MOSFET ස්ථාවර තත්වයක පවතී. ස්පන්දන ස්පයික් යනු උපාංගය හරහා ගලා යන කුඩා ප්රමාණය (හෝ උච්ච ධාරාව) වේ. පරිසරයේ ඇති උපරිම ධාරාව තීරණය කළ පසු, ඔබට අවශ්ය වන්නේ යම් උපරිම ධාරාවකට ඔරොත්තු දිය හැකි උපකරණයක් කෙලින්ම තෝරා ගැනීම පමණි.
අතිරේක ධාරාව තෝරාගැනීමෙන් පසු, සන්නායක පරිභෝජනය ද සැලකිල්ලට ගත යුතුය. සැබෑ තත්වයන් තුළ, MOSFET සැබෑ උපාංගයක් නොවේ, මන්ද තාප සන්නායක ක්රියාවලියේදී චාලක ශක්තිය වැය වන අතර එය සන්නායක පාඩුව ලෙස හැඳින්වේ. MOSFET "සක්‍රිය" වූ විට, එය විචල්‍ය ප්‍රතිරෝධයක් ලෙස ක්‍රියා කරයි, එය උපාංගයේ RDS(ON) මගින් තීරණය වන අතර මිනුම් සමඟ සැලකිය යුතු ලෙස වෙනස් වේ. යන්ත්රයේ බලශක්ති පරිභෝජනය Iload2×RDS(ON) මගින් ගණනය කළ හැක. මිනුම සමඟ ප්‍රතිලාභ ප්‍රතිරෝධය වෙනස් වන බැවින් බලශක්ති පරිභෝජනය ද ඒ අනුව වෙනස් වේ. MOSFET වෙත යොදන ලද වෝල්ටීයතා VGS වැඩි වන තරමට RDS(ON) කුඩා වේ; අනෙක් අතට, RDS (ON) වැඩි වනු ඇත. ධාරාව සමඟ RDS(ON) ප්‍රතිරෝධය තරමක් අඩු වන බව සලකන්න. RDS (ON) ප්‍රතිරෝධය සඳහා වන එක් එක් විද්‍යුත් පරාමිතිවල වෙනස්වීම් නිෂ්පාදකයාගේ නිෂ්පාදන තේරීමේ වගුවෙහි සොයාගත හැකිය.
3. පද්ධතියට අවශ්ය සිසිලන අවශ්යතා නිර්ණය කරන්න
විනිශ්චය කළ යුතු ඊළඟ කොන්දේසිය වන්නේ පද්ධතියට අවශ්ය තාප විසර්ජන අවශ්යතාවයි. මෙම අවස්ථාවේ දී, සමාන තත්වයන් දෙකක් සලකා බැලිය යුතුය, එනම් නරකම අවස්ථාව සහ සැබෑ තත්වය.
MOSFET තාපය විසුරුවා හැරීම සම්බන්ධයෙන්,ඔලුකීනරකම අවස්ථාවට විසඳුමට ප්‍රමුඛත්වය දෙයි, මන්ද යම් බලපෑමකට පද්ධතිය අසමත් නොවන බව සහතික කිරීම සඳහා විශාල රක්ෂණ ආන්තිකයක් අවශ්ය වේ. MOSFET දත්ත පත්‍රිකාවේ අවධානය යොමු කළ යුතු මිනුම් දත්ත කිහිපයක් තිබේ; උපාංගයේ සන්ධි උෂ්ණත්වය උපරිම තත්ත්‍වයේ මිනුමට සහ තාප ප්‍රතිරෝධයේ සහ බල විසර්ජනයේ ගුණයට සමාන වේ (හන්දියේ උෂ්ණත්වය = උපරිම තත්ත්‍වයේ මිනුම + [තාප ප්‍රතිරෝධය × බලය විසුරුවා හැරීම] ). පද්ධතියේ උපරිම බලය විසුරුවා හැරීම නිශ්චිත සූත්‍රයකට අනුව විසඳිය හැකිය, එය I2×RDS (ON) ලෙස අර්ථ දැක්වීමට සමාන වේ. අපි දැනටමත් උපාංගය හරහා ගමන් කරන උපරිම ධාරාව ගණනය කර ඇති අතර විවිධ මිනුම් යටතේ RDS (ON) ගණනය කළ හැකිය. මීට අමතරව, පරිපථ පුවරුව සහ එහි MOSFET හි තාපය විසුරුවා හැරීම ගැන සැලකිලිමත් විය යුතුය.
Avalanche බිඳවැටීම යනු අර්ධ-අධි සන්නායක සංරචකයක ප්‍රතිලෝම වෝල්ටීයතාව උපරිම අගය ඉක්මවා යන අතර සංරචකයේ ධාරාව වැඩි කරන ශක්තිමත් චුම්බක ක්ෂේත්‍රයක් සාදයි. චිප් ප්රමාණය වැඩිවීම සුළං කඩාවැටීම වැළැක්වීමේ හැකියාව වැඩි දියුණු කිරීම සහ අවසානයේ යන්ත්රයේ ස්ථාවරත්වය වැඩි දියුණු කරනු ඇත. එමනිසා, විශාල පැකේජයක් තෝරා ගැනීමෙන් හිම කුණාටු ඵලදායී ලෙස වළක්වා ගත හැකිය.
4. MOSFET හි මාරුවීමේ කාර්ය සාධනය තීරණය කරන්න
අවසාන විනිශ්චය කොන්දේසිය වන්නේ MOSFET හි මාරුවීමේ කාර්ය සාධනයයි. MOSFET හි මාරුවීමේ කාර්ය සාධනයට බලපාන බොහෝ සාධක තිබේ. වඩාත්ම වැදගත් ඒවා වන්නේ ඉලෙක්ට්‍රෝඩ-කාණු, ඉලෙක්ට්‍රෝඩ-ප්‍රභවය සහ කාණු-ප්‍රභව යන පරාමිති තුනයි. ධාරිත්‍රකය මාරු වන සෑම අවස්ථාවකම ආරෝපණය වේ, එනම් ධාරිත්‍රකයේ ස්විචින් පාඩු සිදු වේ. එබැවින්, MOSFET හි මාරු වීමේ වේගය අඩු වනු ඇත, එමගින් උපාංගයේ කාර්යක්ෂමතාවයට බලපායි. එබැවින්, MOSFET තෝරාගැනීමේ ක්රියාවලියේදී, මාරු කිරීමේ ක්රියාවලියේදී උපාංගයේ සම්පූර්ණ පාඩුව විනිශ්චය කිරීම සහ ගණනය කිරීම ද අවශ්ය වේ. හැරවුම් ක්රියාවලියේදී (Eon) අලාභය සහ හැරීමේ ක්රියාවලියේදී පාඩුව ගණනය කිරීම අවශ්ය වේ. (Eoff). MOSFET ස්විචයේ සම්පූර්ණ බලය පහත සමීකරණය මගින් ප්‍රකාශ කළ හැක: Psw = (Eon + Eoff) × මාරුවීමේ සංඛ්‍යාතය. ගේට්ටු ආරෝපණය (Qgd) කාර්ය සාධනය මාරු කිරීම සඳහා විශාලතම බලපෑමක් ඇත.
සාරාංශගත කිරීම සඳහා, සුදුසු MOSFET තෝරා ගැනීම සඳහා, අනුරූප විනිශ්චය පැති හතරකින් සිදු කළ යුතුය: N-channel MOSFET හෝ P-channel MOSFET හි අතිරේක වෝල්ටීයතාවය සහ අතිරේක ධාරාව, උපාංග පද්ධතියේ තාප විසුරුවා හැරීමේ අවශ්යතා සහ මාරු කිරීමේ ක්‍රියාකාරිත්වය MOSFET.
නිවැරදි MOSFET තෝරා ගන්නේ කෙසේද යන්න අදට එපමණයි. එය ඔබට උපකාර කළ හැකි යැයි මම බලාපොරොත්තු වෙමි.
පසු කාලය: දෙසැම්බර්-12-2023
