WSD60N10GDN56 N-channel 100V 60A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET නිෂ්පාදන දළ විශ්ලේෂණය
WSD60N10GDN56 MOSFET හි වෝල්ටීයතාව 100V, ධාරාව 60A, ප්රතිරෝධය 8.5mΩ, නාලිකාව N-නාලිකාව, සහ පැකේජය DFN5X6-8 වේ.
WINSOK MOSFET යෙදුම් ප්‍රදේශ
ඊ-සිගරට් MOSFET, රැහැන් රහිත ආරෝපණ MOSFET, මෝටර්ස් MOSFET, ඩ්‍රෝන MOSFET, වෛද්‍ය සත්කාර MOSFET, කාර් චාජර් MOSFET, පාලක MOSFET, ඩිජිටල් නිෂ්පාදන MOSFET, කුඩා ගෘහ උපකරණ MOSFET, පාරිභෝගික ඉලෙක්ට්‍රොනික MOSFET.
MOSFET යෙදුම් ක්ෂේත්‍රWINSOK MOSFET අනෙකුත් වෙළඳ නාම ද්‍රව්‍ය අංකවලට අනුරූප වේ
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NTMFS6B14N.VISHAY MOSFET SIR84DP,SIRFIONNEETP, BSC19N1NS3G.TOSHIBA MOSFET TPH6R3ANL,TPH8R8ANH.PANJIT MOSFET PJQ5478A.NIKO-SEM MOSFET P81BKA.පොටන්ස් අර්ධ සන්නායක MOSFET PDC92X.
MOSFET පරාමිතීන්
| සංකේතය | පරාමිතිය | ශ්රේණිගත කිරීම | ඒකක |
| VDS | කාණු-ප්රභවය වෝල්ටීයතාවය | 100 | V |
| වී.ජී.එස් | ගේට්-මූලාශ්ර වෝල්ටීයතාවය | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | අඛණ්ඩ කාණු ධාරාව | 60 | A |
| IDP | ස්පන්දන කාණු ධාරාව | 210 | A |
| EAS | Avalanche Energy, Single pulse | 100 | mJ |
| PD@TC=25℃ | සම්පූර්ණ බලය විසුරුවා හැරීම | 125 | ඩබ්ලිව් |
| TSTG | ගබඩා උෂ්ණත්ව පරාසය | -55 සිට 150 දක්වා | ℃ |
| TJ | මෙහෙයුම් හන්දි උෂ්ණත්ව පරාසය | -55 සිට 150 දක්වා | ℃ |
| සංකේතය | පරාමිතිය | කොන්දේසි | අවම | ටයිප් කරන්න. | උපරිම. | ඒකකය |
| BVඩීඑස්එස් | කාණු-ප්රභවය බිඳවැටීමේ වෝල්ටීයතාවය | VGS=0V, අයිD=250uA | 100 | --- | --- | V |
| ස්ථිතික කාණු-මූලාශ්රය මත-ප්රතිරෝධය | VGS=10V,ID=10A. | --- | 8.5 | 10. 0 | mΩ | |
| RDS(ON) | VGS=4.5V,ID=10A. | --- | 9.5 | 12. 0 | mΩ | |
| VGS(th) | ගේට්ටු එළිපත්ත වෝල්ටීයතාවය | VGS=VDS, අයිD=250uA | 1.0 | --- | 2.5 | V |
| IDSS | ජලාපවහන මූලාශ්ර කාන්දු ධාරාව | VDS=80V, වීGS=0V, ටීJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| IGSS | ගේට්-මූලාශ්ර කාන්දු වන ධාරාව | VGS=±20V, වීDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | මුළු ගේට්ටු ගාස්තුව (10V) | VDS=50V, වීGS=10V, අයිD=25A | --- | 49.9 | --- | nC |
| Qgs | ගේට්-මූලාශ්ර ගාස්තුව | --- | 6.5 | --- | ||
| Qgd | ගේට්ටුව-කාණු ගාස්තුව | --- | 12.4 | --- | ||
| Td(on) | ප්‍රමාද කාලය ක්‍රියාත්මක කරන්න | VDD=50V, වීGS=10V,RG=2.2Ω, අයිD=25A | --- | 20.6 | --- | ns |
| Tr | නැගී එන වේලාව | --- | 5 | --- | ||
| Td(අක්‍රිය) | ක්‍රියාවිරහිත කිරීමේ ප්‍රමාද කාලය | --- | 51.8 | --- | ||
| Tf | වැටීම කාලය | --- | 9 | --- | ||
| Ciss | ආදාන ධාරිතාව | VDS=50V, වීGS=0V, f=1MHz | --- | 2604 | --- | pF |
| කොස් | ප්රතිදාන ධාරිතාව | --- | 362 | --- | ||
| Cආර්එස්එස් | ආපසු මාරු ධාරිතාව | --- | 6.5 | --- | ||
| IS | අඛණ්ඩ මූලාශ්ර ධාරාව | VG=VD=0V , බල ධාරාව | --- | --- | 60 | A |
| ISP | ස්පන්දන මූලාශ්ර ධාරාව | --- | --- | 210 | A | |
| VSD | ඩයෝඩ ඉදිරි වෝල්ටීයතාවය | VGS=0V, අයිS=12A, ටීJ=25℃ | --- | --- | 1.3 | V |
| trr | ආපසු අයකර ගැනීමේ කාලය | IF=12A,dI/dt=100A/µs,TJ=25℃ | --- | 60.4 | --- | nS |
| Qrr | ආපසු අයකර ගැනීමේ ගාස්තුව | --- | 106.1 | --- | nC |
