IGBT සහ MOSFET අතර වෙනස්කම්

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) සහ MOSFET (ලෝහ-ඔක්සයිඩ්-අර්ධ සන්නායක ක්ෂේත්‍ර-ප්‍රයෝග ට්‍රාන්සිස්ටරය) යනු බලශක්ති ඉලෙක්ට්‍රොනික උපකරණවල බහුලව භාවිතා වන පොදු බල අර්ධ සන්නායක උපාංග දෙකකි. දෙකම විවිධ යෙදුම්වල අත්‍යවශ්‍ය සංරචක වන අතර, ඒවා අංශ කිහිපයකින් සැලකිය යුතු ලෙස වෙනස් වේ. IGBT සහ MOSFET අතර මූලික වෙනස්කම් පහත දැක්වේ:

1. වැඩ කිරීමේ මූලධර්මය

- IGBT: IGBT BJT (Bipolar Junction Transistor) සහ MOSFET යන දෙකෙහිම ලක්ෂණ ඒකාබද්ධ කරයි, එය දෙමුහුන් උපාංගයක් බවට පත් කරයි. එය MOSFET එකක ද්වාර වෝල්ටීයතාවය හරහා BJT හි පාදය පාලනය කරයි, එය BJT හි සන්නයනය සහ කපා හැරීම පාලනය කරයි. IGBT හි සන්නයනය සහ කඩඉම් ක්‍රියාවලි සාපේක්ෂ වශයෙන් සංකීර්ණ වුවද, එය අඩු සන්නායක වෝල්ටීයතා පාඩු සහ අධි වෝල්ටීයතා ඉවසීම දක්වයි.

- MOSFET: MOSFET යනු ගේට්ටු වෝල්ටීයතාවය හරහා අර්ධ සන්නායකයක ධාරාව පාලනය කරන ක්ෂේත්‍ර බලපෑම් ට්‍රාන්සිස්ටරයකි. ද්වාර වෝල්ටීයතාවය ප්‍රභව වෝල්ටීයතාවය ඉක්මවන විට, සන්නායක තට්ටුවක් සාදයි, ධාරාව ගලා යාමට ඉඩ සලසයි. ප්රතිවිරුද්ධව, ගේට්ටු වෝල්ටීයතාවය එළිපත්තට වඩා පහළින් ඇති විට, සන්නායක ස්ථරය අතුරුදහන් වන අතර ධාරාව ගලා යා නොහැක. MOSFET එකක ක්‍රියාකාරිත්වය සාපේක්ෂව සරල වන අතර වේගවත් මාරු වීමේ වේගයන් ඇත.

2. යෙදුම් ප්‍රදේශ

- IGBT: එහි අධි වෝල්ටීයතා ඉවසීම, අඩු සන්නායක වෝල්ටීයතා අලාභය සහ වේගවත් මාරු කිරීමේ ක්‍රියාකාරිත්වය හේතුවෙන්, IGBT විශේෂයෙන් අධි බලැති, ඉන්වර්ටර්, මෝටර් රියදුරන්, වෙල්ඩින් යන්ත්‍ර සහ අඛණ්ඩ බල සැපයුම් (UPS) වැනි අඩු පාඩු යෙදුම් සඳහා සුදුසු වේ. . මෙම යෙදුම්වල, IGBT අධි-වෝල්ටීයතා සහ අධි-ධාරා මාරු කිරීමේ මෙහෙයුම් කාර්යක්ෂමව කළමනාකරණය කරයි.

- MOSFET: MOSFET, එහි වේගවත් ප්‍රතිචාරය, ඉහළ ආදාන ප්‍රතිරෝධය, ස්ථායී ස්විච්පන කාර්ය සාධනය සහ අඩු පිරිවැය සහිත, අඩු බලැති, වේගයෙන් මාරු වන යෙදුම්වල ස්විච් මාදිලියේ බල සැපයුම්, ආලෝකකරණය, ශ්‍රව්‍ය ඇම්ප්ලිෆයර් සහ තාර්කික පරිපථ සඳහා බහුලව භාවිතා වේ. . MOSFET අඩු බල සහ අඩු වෝල්ටීයතා යෙදුම්වල සුවිශේෂී ලෙස ක්‍රියා කරයි.

3. කාර්ය සාධන ලක්ෂණ

- IGBT: අඩු සන්නායක පාඩු සමඟ සැලකිය යුතු බලයක් හැසිරවීමේ හැකියාව හේතුවෙන් IGBT අධි-වෝල්ටීයතා, අධි-ධාරා යෙදුම්වල විශිෂ්ටයි, නමුත් MOSFET වලට සාපේක්ෂව එය මන්දගාමී මාරු වීමේ වේගයක් ඇත.

- MOSFET: MOSFET සංලක්ෂිත වන්නේ වේගවත් මාරු වීමේ වේගය, අඩු වෝල්ටීයතා යෙදුම්වල ඉහළ කාර්යක්ෂමතාව සහ ඉහළ මාරුවීම් සංඛ්‍යාතවල අඩු බල අලාභයන් ය.

4. හුවමාරු කිරීමේ හැකියාව

IGBT සහ MOSFET විවිධ අරමුණු සඳහා නිර්මාණය කර භාවිතා කරන අතර සාමාන්‍යයෙන් එකිනෙකට හුවමාරු කළ නොහැක. කුමන උපාංගයක් භාවිතා කළ යුතුද යන්න තේරීම විශේෂිත යෙදුම, කාර්ය සාධන අවශ්‍යතා සහ පිරිවැය සලකා බැලීම් මත රඳා පවතී.

නිගමනය

IGBT සහ MOSFET වැඩ කිරීමේ මූලධර්මය, යෙදුම් ක්ෂේත්‍ර සහ කාර්ය සාධන ලක්ෂණ අනුව සැලකිය යුතු ලෙස වෙනස් වේ. මෙම වෙනස්කම් අවබෝධ කර ගැනීම බලශක්ති ඉලෙක්ට්‍රොනික සැලසුම් සඳහා සුදුසු උපාංගයක් තෝරා ගැනීමට, ප්‍රශස්ත කාර්ය සාධනය සහ පිරිවැය-කාර්යක්ෂමතාව සහතික කිරීමට උපකාරී වේ.