MOSFET පරීක්ෂණ ප්රවාහය

Voor de detectie van MOSFET onderscheiden Vier belangrijke aspecten:MOSFET lekkage, kortsluitfouten, ontkoppeling, versterking. Als er een weerstandswaarde, maar niet gedetecteerd, MOSFET lekkage voorwaarden, die het belangrijkste onderzoek Kunnen we verwijzen naar het volgende processes uit te voeren:

1, ඩි ලින්ක් ගේට් එන් ඩි බ්‍රොන් වැන් ද වීර්ස්ටෑන්ඩ් වර්විජ්ඩර්ඩ්, ඩි මල්ටිමීටර පදින්නේ එන් ස්වාර්ටේ පෙන්නන් සැල් නිට් වෙරන්ඩේරන්, අල් ජෙ බීවීග්ට් ඩි ලෙක්කගේ වීර්ස්ටෑන්ඩ් නා ඩි මීටර් බාර් ගෙලෙයිඩෙලිජ්ක් ටෙරුග් නාර් ඊන් හෝගේ වීර්ස්ටෑන්ඩ් ඔෆ් ඩෑන් ඊස් ඩිග්,MOSFET lekkage; Zal niet veranderen යනු er geen ගැටලුවකි;

2, Zal een transmissielijn naar de MOSFET gate en bron polen met elkaar verbonden, als de digitale multimeter naald onmiddellijk terug naar oneindig, dan is de MOSFET is geen problem;

3, ද රෝඩ් පෙන් නාර් ද බ්‍රොන් වැන් ද මොස්ෆෙට් එස්, ද ස්වාර්ටේ පෙන් නාර් ද ඇෆ්වෝර් වෑන් ද මොස්ෆෙට්, ඊන් ගෝඩේ මීටර් ස්ටික් සලකුණු මෝට් ගීන් ග්‍රෝට් ආමෙන්;

4, හමු වූ een weerstand වෑන් 100KΩ-200KΩ verbonden met de gate en ඩ්රේන්, en vervolgens de rode pen aan de bron van de MOSFET S, de zwarte pen aan de dren van de MOSFET, op dit moment de warde van de is overpaal het algemeen zal 0 zijn, op het moment is onder de positive elektriciteit op Based van deze weerstand aan de MOSFET gate batterij opladen, wat resulteert in de gate elektrisch veld, als gevolg van elektrisch veld Resulterend in geleidingsvermogens, ඩෝර්වෙරෝල් ඩ්‍රේන්ජැක්ට් ඩෝර්වෙරෝර් zodat de digitale multimeter meter pool bias, bias hoe groter de gezichtshoek, hoe hoger het laden en ontladen kenmerken.