බහුලව භාවිතා වන අධි බලැති MOSFET වල ක්‍රියාකාරී මූලධර්මය හැඳින්වීම

අද බහුලව භාවිතා වන අධි-බලය මතMOSFETඑහි වැඩ කිරීමේ මූලධර්මය කෙටියෙන් හඳුන්වා දීමට. එය තමාගේම කාර්යය අවබෝධ කර ගන්නා ආකාරය බලන්න.

ලෝහ-ඔක්සයිඩ්-අර්ධ සන්නායක, එනම්, ලෝහ-ඔක්සයිඩ්-අර්ධ සන්නායක, හරියටම, මෙම නම ඒකාබද්ධ පරිපථයේ MOSFET හි ව්‍යුහය විස්තර කරයි, එනම්: අර්ධ සන්නායක උපාංගයේ යම් ව්‍යුහයක් තුළ, සිලිකන් ඩයොක්සයිඩ් සහ ලෝහ සමඟ සම්බන්ධ වී, ගොඩනැගීම ගේට්ටුවේ.

MOSFET හි මූලාශ්‍රය සහ ජලාපවහනය ප්‍රතිවිරුද්ධ වේ, දෙකම P-type backgate එකක පිහිටුවා ඇති N-වර්ග කලාප වේ. බොහෝ අවස්ථාවන්හීදී, එම ප්රදේශ දෙක සමාන වේ, ගැලපුමේ කෙළවර දෙක උපාංගයේ ක්රියාකාරිත්වයට බලපාන්නේ නැත, එවැනි උපකරණයක් සමමිතික ලෙස සලකනු ලැබේ.

වර්ගීකරණය: එක් එක් N-නාලිකාව සහ P-නාලිකාව දෙකෙහි නාලිකා ද්රව්ය වර්ගය සහ පරිවරණය කළ ගේට්ටු වර්ගය අනුව; සන්නායක මාදිලිය අනුව: MOSFET ක්ෂය වීම සහ වැඩිදියුණු කිරීම ලෙස බෙදා ඇත, එබැවින් MOSFET N-නාලිකාව ක්ෂය වීම සහ වැඩිදියුණු කිරීම ලෙස බෙදා ඇත; P-නාලිකාව ක්ෂය වීම සහ ප්රධාන කාණ්ඩ හතරක් වැඩිදියුණු කිරීම.

MOSFET මෙහෙයුම් මූලධර්මය - ව්යුහාත්මක ලක්ෂණMOSFETඑය සන්නායකයට සම්බන්ධ එක් ධ්‍රැවීයතා වාහකයක් (පොලිස්) පමණක් සන්නයනය කරයි, එය ඒක ධ්‍රැවීය ට්‍රාන්සිස්ටරයකි. සන්නායක යාන්ත්‍රණය අඩු බල MOSFET හා සමාන වේ, නමුත් ව්‍යුහයේ විශාල වෙනසක් ඇත, අඩු බලැති MOSFET තිරස් සන්නායක උපාංගයකි, බොහෝ බලය MOSFET සිරස් සන්නායක ව්‍යුහය, VMOSFET ලෙසද හැඳින්වේ, එය MOSFET බෙහෙවින් වැඩි දියුණු කරයි. උපාංග වෝල්ටීයතාවය සහ ධාරාව ඔරොත්තු දීමේ හැකියාව. ප්‍රධාන ලක්ෂණය වන්නේ ලෝහ ද්වාරය සහ නාලිකාව අතර සිලිකා පරිවාරක තට්ටුවක් තිබීමයි, එබැවින් ඉහළ ආදාන ප්‍රතිරෝධයක් තිබීම, නළය n විසරණ කලාපයේ ඉහළ සාන්ද්‍රණයන් දෙකක දී n වර්ගයේ සන්නායක නාලිකාවක් සාදයි. n-channel වැඩිදියුණු කිරීමේ MOSFETs ඉදිරි නැඹුරුව සමඟ ගේට්ටුවට යෙදිය යුතු අතර, n-channel MOSFET මගින් ජනනය කරන ලද සන්නායක නාලිකාවේ එළිපත්ත වෝල්ටීයතාවයට වඩා ද්වාර ප්‍රභව වෝල්ටීයතාවය වැඩි වූ විට පමණි. n-channel depletion type MOSFETs යනු n-channel MOSFETs වන අතර එහි ගේට්ටු වෝල්ටීයතාවයක් යොදන්නේ නැති විට සන්නායක නාලිකා ජනනය වේ (ගේට් ප්‍රභව වෝල්ටීයතාවය ශුන්‍ය වේ).

MOSFET හි ක්‍රියාකාරීත්වයේ මූලධර්මය වන්නේ "ප්‍රේරිත ආරෝපණය" මගින් සාදන ලද සන්නායක නාලිකාවේ තත්වය වෙනස් කිරීම සඳහා VGS භාවිතා කිරීමෙන් "ප්‍රේරිත ආරෝපණ" ප්‍රමාණය පාලනය කිරීම සහ පසුව කාණු ධාරාව පාලනය කිරීමේ අරමුණ සාක්ෂාත් කර ගැනීමයි. නල නිෂ්පාදනයේ දී, ධන අයන විශාල සංඛ්යාවක් මතුවීම තුළ ස්ථරය පරිවාරක ක්රියාවලිය හරහා, ඒ නිසා අතුරු මුහුණත අනෙක් පැත්තේ වැඩි සෘණ ආරෝපණ ප්රේරණය කළ හැක, මෙම සෘණ ආරෝපණ N හි අපිරිසිදුකම අධික විනිවිදීමට සන්නායක නාලිකාවක් සෑදීමට සම්බන්ධ කලාපය, VGS = 0 හි පවා විශාල කාන්දු ධාරා හැඳුනුම්පතක් ද ඇත. ගේට්ටු වෝල්ටීයතාව වෙනස් වූ විට, නාලිකාවේ ප්‍රේරණය වන ආරෝපණ ප්‍රමාණය ද වෙනස් වන අතර, නාලිකාවේ සන්නායක නාලිකා පළල සහ පටු බව සහ වෙනස් වන අතර එමඟින් ද්වාර වෝල්ටීයතාවය සමඟ කාන්දු වන වත්මන් හැඳුනුම්පත වෙනස් වේ. වත්මන් හැඳුනුම්පත ගේට්ටු වෝල්ටීයතාවය සමඟ වෙනස් වේ.

දැන් යෙදුමMOSFETඅපගේ ජීවන තත්ත්වය ඉහළ නංවන අතරම මිනිසුන්ගේ ඉගෙනීම, වැඩ කාර්යක්ෂමතාව විශාල වශයෙන් වැඩිදියුණු කර ඇත. යම් සරල අවබෝධයක් තුළින් අපට ඒ පිළිබඳ වඩාත් තාර්කික අවබෝධයක් ඇත. එය මෙවලමක් ලෙස පමණක් නොව, එහි ලක්ෂණ පිළිබඳ වැඩි අවබෝධයක්, වැඩ කිරීමේ මූලධර්මය, අපට විශාල විනෝදයක් ලබා දෙනු ඇත.