MOSFET ප්‍රති-ප්‍රතිලෝම පරිපථය

පළමුව, MOSFET ප්රති-ප්රතිවිරුද්ධ පරිපථයේ මූලික මූලධර්මය

MOSFET ප්‍රති-ප්‍රතිලෝම පරිපථය MOSFET හි ස්විචින් ලක්ෂණ භාවිතා කරමින්, පරිපථය ක්‍රියාත්මක සහ අක්‍රිය කිරීම සඳහා ගේට් (G) වෝල්ටීයතාව පාලනය කිරීමෙන්. බල සැපයුම් ධ්රැවීයතාව නිවැරදි වන විට, ද්වාර වෝල්ටීයතාවය MOSFET සන්නායක තත්වයට පත් කරයි, ධාරාව සාමාන්යයෙන් ගලා යා හැක; බල සැපයුම් ධ්‍රැවීයතාව ආපසු හැරවූ විට, ගේට්ටු වෝල්ටීයතාවයට MOSFET සන්නයනය සිදු කළ නොහැක, එමඟින් පරිපථය කපා හැරේ.

දෙවනුව, MOSFET ප්රති-ප්රතිලෝම පරිපථයේ නිශ්චිත අවබෝධය

1. N-channel MOSFET ප්‍රති-ප්‍රතිලෝම පරිපථය

N-channel MOSFETs සාමාන්‍යයෙන් ප්‍රති-ප්‍රතිලෝම පරිපථ සාක්ෂාත් කර ගැනීමට භාවිතා කරයි. පරිපථයේ, N-නාලිකාවේ MOSFET හි මූලාශ්‍රය (S) භාරයේ සෘණ අග්‍රයට සම්බන්ධ කර ඇති අතර, කාණු (D) බල සැපයුමේ ධන පර්යන්තයට සම්බන්ධ කර ඇති අතර ගේට්ටුව (G) සම්බන්ධ කර ඇත. ප්‍රතිරෝධකයක් හරහා හෝ පාලන පරිපථයකින් පාලනය වන බල සැපයුමේ සෘණ අග්‍රය.

ඉදිරි සම්බන්ධතාවය: බල සැපයුමේ ධන අග්‍රය D හා සම්බන්ධ වන අතර සෘණ අග්‍රය S වෙත සම්බන්ධ කර ඇත. මෙම අවස්ථාවේදී ප්‍රතිරෝධකය MOSFET සඳහා ද්වාර ප්‍රභව වෝල්ටීයතාවය (VGS) සපයන අතර VGS එළිපත්තට වඩා වැඩි වූ විට MOSFET හි වෝල්ටීයතාව (Vth), MOSFET සන්නයනය කරයි, සහ ධාරාව බල සැපයුමේ ධන අග්‍රයෙන් MOSFET හරහා භාරයට ගලා යයි.

ආපසු හැරවූ විට: බල සැපයුමේ ධන අග්‍රය S වෙත සම්බන්ධ කර ඇති අතර, සෘණ අග්‍රය D හා සම්බන්ධ වේ. මෙම අවස්ථාවේදී, MOSFET කපා හැරීමේ තත්වයක පවතින අතර ගේට්ටුවේ වෝල්ටීයතාවය නිසා බර පැටවීම හානිවලින් ආරක්ෂා කිරීම සඳහා පරිපථය විසන්ධි වේ. MOSFET හැසිරීම සිදු කිරීමට ප්‍රමාණවත් VGS පිහිටුවීමට නොහැකි වේ (VGS 0 ට වඩා අඩු හෝ Vth ට වඩා බෙහෙවින් අඩු විය හැක).

2. සහායක සංරචකවල භූමිකාව

ප්‍රතිරෝධකය: MOSFET සඳහා ගේට්ටු ප්‍රභව වෝල්ටීයතාවයක් සැපයීමට සහ ගේට්ටු අධික ධාරා හානි වැළැක්වීම සඳහා ගේට්ටු ධාරාව සීමා කිරීමට භාවිතා කරයි.

වෝල්ටීයතා නියාමකය: ද්වාර ප්‍රභව වෝල්ටීයතාවය ඉතා ඉහළ වීම සහ MOSFET බිඳ වැටීම වැළැක්වීම සඳහා භාවිතා කරන විකල්ප සංරචකයකි.

පරපෝෂිත ඩයෝඩය: MOSFET ඇතුළත පරපෝෂිත ඩයෝඩයක් (ශරීර ඩයෝඩයක්) පවතී, නමුත් එහි බලපෑම සාමාන්‍යයෙන් නොසලකා හරිනු ලැබේ හෝ ප්‍රති-ප්‍රතිලෝම පරිපථවල එහි අහිතකර බලපෑම මඟහරවා ගැනීම සඳහා පරිපථ නිර්මාණය මග හරිනු ලැබේ.

තෙවනුව, MOSFET ප්රති-ප්රතිලෝම පරිපථයේ වාසි

අඩු පාඩු: MOSFET ප්‍රතිරෝධය කුඩා වේ, ප්‍රතිරෝධක වෝල්ටීයතාව අඩු වේ, එබැවින් පරිපථ අලාභය කුඩා වේ.

ඉහළ විශ්වසනීයත්වය: සරල පරිපථ සැලසුමක් හරහා ප්‍රති-ප්‍රතිලෝම ශ්‍රිතය සාක්ෂාත් කරගත හැකි අතර MOSFET සතුව ඉහළ විශ්වසනීයත්වයක් ඇත.

නම්‍යශීලී බව: විවිධ යෙදුම් අවශ්‍යතා සපුරාලීම සඳහා විවිධ MOSFET ආකෘති සහ පරිපථ සැලසුම් තෝරා ගත හැක.

පූර්වාරක්‍ෂා

MOSFET ප්‍රති-ප්‍රතිලෝම පරිපථයේ සැලසුමේදී, වෝල්ටීයතාව, ධාරාව, ​​මාරුවීමේ වේගය සහ අනෙකුත් පරාමිතීන් ඇතුළුව යෙදුම් අවශ්‍යතා සපුරාලීම සඳහා MOSFETs තෝරාගැනීම සහතික කළ යුතුය.

පරිපථයේ ක්‍රියාකාරීත්වයට අහිතකර බලපෑම් වළක්වා ගැනීම සඳහා පරපෝෂිත ධාරණාව, පරපෝෂිත ප්‍රේරණය වැනි පරිපථයේ අනෙකුත් සංරචකවල බලපෑම සලකා බැලීම අවශ්‍ය වේ.

ප්‍රායෝගික යෙදීම් වලදී, පරිපථයේ ස්ථායිතාව සහ විශ්වසනීයත්වය සහතික කිරීම සඳහා ප්‍රමාණවත් පරීක්ෂණ සහ සත්‍යාපනය ද අවශ්‍ය වේ.

සාරාංශයක් ලෙස, MOSFET ප්‍රති-ප්‍රතිලෝම පරිපථය සරල, විශ්වාසදායක සහ අඩු පාඩු සහිත බල සැපයුම් ආරක්ෂණ යෝජනා ක්‍රමයක් වන අතර එය ප්‍රතිලෝම බල ධ්‍රැවීයතාව වැළැක්වීම අවශ්‍ය වන විවිධ යෙදුම්වල බහුලව භාවිතා වේ.