N වර්ගය, P වර්ගයේ MOSFET සාරයේ ක්‍රියාකාරී මූලධර්මය සමාන වේ, කාණු ධාරාවේ ප්‍රතිදාන පැත්ත සාර්ථකව පාලනය කිරීම සඳහා MOSFET ප්‍රධාන වශයෙන් ද්වාර වෝල්ටීයතාවයේ ආදාන පැත්තට එකතු කරනු ලැබේ, MOSFET යනු වෝල්ටීයතාවයෙන් පාලනය වන උපාංගයකි, එකතු කරන ලද වෝල්ටීයතාවය හරහා උපාංගයේ ලක්ෂණ පාලනය කිරීම සඳහා ද්වාරය වෙත, ආරෝපණ ආචයන ආචරණය නිසා ඇතිවන පාදක ධාරාව හේතුවෙන් මාරුවීමේ කාලය කිරීමට ට්‍රයිඩෝව මෙන් නොව, යෙදුම් මාරු කිරීමේදී, MOSFET යෙදුම් මාරු කිරීමේදී,MOSFET ගේ මාරු වීමේ වේගය ට්‍රයිඩෝ වලට වඩා වේගවත්ය.
ස්විචින් බල සැපයුමේදී, බහුලව භාවිතා වන MOSFET විවෘත කාණු පරිපථයේ, කාණු බරට සම්බන්ධ කර ඇති පරිදි, විවෘත කාණු, විවෘත කාණු පරිපථය ලෙස හැඳින්වේ, භාරය කෙතරම් ඉහළ වෝල්ටීයතාවයකට සම්බන්ධ වේ, ක්‍රියාත්මක කිරීමට, ක්‍රියා විරහිත කිරීමට හැකි වේ. load current යනු කදිම ප්‍රතිසම මාරු කිරීමේ උපාංගයකි, එය MOSFET ස්විචින් උපාංග කිරීමටත්, MOSFET තවත් පරිපථ ආකාරයෙන් මාරු කිරීමටත් මූලධර්මය වේ.
බල සැපයුම් යෙදුම් මාරු කිරීම සම්බන්ධයෙන්, මෙම යෙදුම අවශ්ය වේ MOSFETs මූලික බක් පරිවර්තකයේ බහුලව භාවිතා වන DC-DC බල සැපයුම වැනි කාලානුරූපව ක්‍රියා විරහිත කිරීමට, ක්‍රියා විරහිත කිරීමට MOSFET දෙකක් මත රඳා පවතී. kHz සිය ගණනක් හෝ 1 MHz ට වඩා වැඩි, ප්‍රධාන වශයෙන්ම සංඛ්‍යාතය වැඩි වන තරමට චුම්බක සංරචක කුඩා වේ. සාමාන්‍ය ක්‍රියාකාරිත්වය අතරතුර, MOSFET සන්නායකයකට සමාන වේ, උදාහරණයක් ලෙස, අධි බලැති MOSFET, කුඩා වෝල්ටීයතා MOSFET, පරිපථ, බල සැපයුම යනු MOS හි අවම සන්නායක අලාභයයි.
MOSFET PDF පරාමිති, MOSFET නිෂ්පාදකයින් RDS (ON) පරාමිතිය සාර්ථකව භාවිතා කර ඇති අතර, යෙදුම් මාරු කිරීම සඳහා RDS (ON) යනු වඩාත් වැදගත් උපාංග ලක්ෂණයයි; දත්ත පත්‍රිකා RDS (ON) නිර්වචනය කරයි, ගේට් (හෝ ධාවකය) වෝල්ටීයතා VGS සහ ස්විචය හරහා ගලා යන ධාරාව සම්බන්ධ වේ, ප්රමාණවත් ගේට් ධාවකය සඳහා, RDS (ON) යනු සාපේක්ෂ ස්ථිතික පරාමිතියකි; සන්නායකතාවයේ පැවති MOSFETs තාප උත්පාදනයට ගොදුරු වන අතර, හන්දියේ උෂ්ණත්වය සෙමෙන් වැඩි වීම RDS (ON) වැඩි වීමට හේතු විය හැක;MOSFET දත්ත පත්‍රිකා මගින් තාප සම්බාධන පරාමිතිය සඳහන් කරයි, එය MOSFET පැකේජයේ අර්ධ සන්නායක සන්ධියට තාපය විසුරුවා හැරීමට ඇති හැකියාව ලෙස අර්ථ දක්වා ඇති අතර RθJC යනු හන්දියෙන් නඩුවට තාප සම්බාධනය ලෙස සරලව අර්ථ දක්වා ඇත.
1, සංඛ්‍යාතය ඉතා ඉහළ ය, සමහර විට පරිමාව අධික ලෙස ලුහුබැඳීම, සෘජුවම ඉහළ සංඛ්‍යාතයකට තුඩු දෙනු ඇත, අලාභය වැඩි වීම මත MOSFET, තාපය වැඩි වීම, ප්රමාණවත් තාපයක් විසුරුවා හැරීමේ සැලසුමේ හොඳ කාර්යයක් නොකරන්න, ඉහළ ධාරාවක්, නාමික MOSFET හි වත්මන් අගය, සාක්ෂාත් කර ගැනීමට හැකි වන පරිදි හොඳ තාපය විසුරුවා හැරීමේ අවශ්යතාව; හැඳුනුම්පත උපරිම ධාරාවට වඩා අඩුය, බරපතල තාපය විය හැක, ප්රමාණවත් සහායක හීට්සින්ක් අවශ්ය වේ.
2, MOSFET තේරීමේ දෝෂ සහ බල විනිශ්චයේ දෝෂ, MOSFET අභ්‍යන්තර ප්‍රතිරෝධය සම්පූර්ණයෙන්ම නොසලකයි, MOSFET තාපන ගැටළු සමඟ කටයුතු කරන විට, මාරුවීමේ සම්බාධනය වැඩි කිරීමට සෘජුවම හේතු වේ.
3, පරිපථ සැලසුම් ගැටළු හේතුවෙන්, තාපය ඇති වන අතර, MOSFET ක්‍රියා කරන්නේ රේඛීය ක්‍රියාකාරී තත්වයක මිස MOSFET තාපනයට සෘජු හේතුවක් වන මාරුවීමේ තත්වයේ නොවේ, උදාහරණයක් ලෙස, N-MOS මාරු කිරීම, G- මට්ටමේ වෝල්ටීයතාවය බල සැපයුමට වඩා V කිහිපයකින් වැඩි විය යුතුය, සම්පූර්ණ සන්නායකතාවයට හැකි වීම සඳහා, P-MOS වෙනස් වේ; සම්පූර්ණයෙන්ම විවෘතව නොමැති විට, වෝල්ටීයතා පහත වැටීම ඉතා විශාල වන අතර, එය බලශක්ති පරිභෝජනයට හේතු වනු ඇත, සමාන DC සම්බාධනය විශාල වේ, වෝල්ටීයතා පහත වැටීම ද වැඩි වනු ඇත, U * I ද වැඩි වනු ඇත, පාඩුව තාපයට තුඩු දෙනු ඇත.
පසු කාලය: අගෝස්තු-01-2024
