MOSFET හි අකාර්යක්ෂමතාව සඳහා හේතු විශ්ලේෂණය කිරීම

1, වෝල්ටීයතා අසමත් වීම බොහෝ විට BVdss වෝල්ටීයතාවයේ මූලාශ්‍රය අතර කාන්දු වන බව කියනු ලැබේ mosfet හි ශ්‍රේණිගත වෝල්ටීයතාවය ඉක්මවන අතර, mosfet අසාර්ථක වීමට තුඩු දිය හැකි නිශ්චිත හැකියාවකින් ඔබ්බට.

2, mosfet ආරක්ෂිත ක්‍රියාකාරී පරාසයට වඩා වැඩි වත්මන් අසාර්ථකත්වය සහ Id ලෙස බෙදා ඇති වලංගු නොවන, උපාංග පිරිවිතර ඉක්මවන අතර එහි Id නිසා ඇති වූ අසාර්ථකත්වය ඉතා විශාල වන අතර, දිගුකාලීන තාප සමුච්චය වීමට හේතු වන අධික ලෙස ගෙවී යාම සහ ඉරීම උපාංගය සහ අසාර්ථකත්වය.

3, පාලමෙහි, LLC සහ අනෙකුත් ධාරා ස්ථල විද්‍යාව සිදු කිරීම සඳහා ශරීර ඩයෝඩයට ඵලදායී වේ, මන්ද ශරීර ඩයෝඩය විනාශ වී ඇති අතර වලංගු නොවේ.

4, සමාන්තර යෙදුම් ක්‍රියාවලියේදී, පරිපථ පරපෝෂිත පරාමිතීන් සහිත ගේට්ටුව උච්චාවචනයන්ට තුඩු දෙයි, අනුනාද අසාර්ථක වීමට හේතු වේ.

5, වියළි පරිසරයකදී, මිනිස් සිරුර සහ උපකරණ සහ උපාංගය මගින් ජනනය කරන ස්ථිතික විදුලිය ස්ථිතික අකාර්යක්ෂම වීමට හේතු වනු ඇත.

6. ගේට්ටුවේ අසාමාන්‍ය ක්‍රියාකාරී වෝල්ටීයතා උච්චයක් හේතුවෙන් ගේට්ටුවේ වෝල්ටීයතාවය වලංගු නොවේ.

ඉහත සඳහන් කර ඇත්තේ පදනම මතයMOSFETඅසාර්ථක වීමට හේතු විශ්ලේෂණය කිරීම, අපි අනුරූප සැකසුම් මෙහෙයුම් සිදු කරමු, වෙනත් ගැටළු තිබේ අප සමඟ අමුත්තන් Guanhua Weiye සමාගමෙන් උපදෙස් ලබා ගැනීමට, ඔබට ඵලදායී පිළිතුරු සහ ගුණාත්මක සේවා ආකල්පයක් ලබා දිය හැකිය.
ඔලුකේයිණය පැවැත්ම සඳහා සමාගම, "ගුණාත්මකභාවය පළමුව, සේවා පලමු" අරමුණ සහ දේශීය හා විදේශීය බොහෝ අධිතාක්ෂණික ව්‍යවසායන් පිළිපැදීම, හොඳ සේවා සම්බන්ධතාවයක් ඇති කර ගැනීමට මුල් කර්මාන්ත ශාලාව, බෙදා හැරීමේ වසර ගණනාවක වෘත්තීය පළපුරුද්ද සමඟ, හොඳ ණය සමඟ, විශිෂ්ට සේවාවක්, පුළුල් පරාසයක විශ්වාසය සහ සහයෝගය සඳහා ප්රවේශය.