MOSFET අසාර්ථක වීමට හේතු සහ වැළැක්වීම

පුවත්

MOSFET අසාර්ථක වීමට හේතු සහ වැළැක්වීම

ප්රධාන හේතු දෙකof MOSFET අසාර්ථක:

වෝල්ටීයතා අසමත් වීම: එනම්, කාණු සහ මූලාශ්රය අතර BVdss වෝල්ටීයතාවයේ ශ්රේණිගත වෝල්ටීයතාවය ඉක්මවයි.MOSFET සහ ළඟා වේ නිශ්චිත ධාරිතාවක්, MOSFET අසාර්ථක වීමට හේතු වේ.

ගේට් වෝල්ටීයතා අසමත් වීම: ගේට්ටුව අසාමාන්‍ය වෝල්ටීයතා ස්පයික් එකකට ගොදුරු වන අතර, එහි ප්‍රතිඵලයක් ලෙස ගේට්ටු ඔක්සිජන් ස්ථරයක් අසාර්ථක වේ.

MOSFET අසාර්ථක වීමට හේතු සහ වැළැක්වීම

හැකිලීමේ දෝෂය (වෝල්ටීයතා අසමත් වීම)

ඇත්තටම හිම කුණාටු හානිය යනු කුමක්ද? සරලව කිව්වොත්,MOSFET එකක් බස් වෝල්ටීයතා, ට්‍රාන්ස්ෆෝමර් පරාවර්තන වෝල්ටීයතා, කාන්දු ස්පයික් වෝල්ටීයතා යනාදිය සහ MOSFET අතර ඇති සුපිරි පිහිටීම මගින් නිර්මාණය කරන ලද අසාර්ථක මාදිලියකි. කෙටියෙන් කිවහොත්, එය MOSFET හි කාණු-ප්‍රභව ධ්‍රැවයේ වෝල්ටීයතාවය එහි නියමිත වෝල්ටීයතා අගය ඉක්මවා යම් ශක්ති සීමාවකට ළඟා වූ විට සිදුවන පොදු අසාර්ථකත්වයකි.

 

හිම කුණාටු හානි වැළැක්වීම සඳහා පියවර:

- මාත්‍රාව නිසි ලෙස අඩු කරන්න. මෙම කර්මාන්තයේ දී එය සාමාන්යයෙන් 80-95% කින් අඩු වේ. සමාගමේ වගකීම් කොන්දේසි සහ රේඛා ප්‍රමුඛතා මත පදනම්ව තෝරන්න.

- පරාවර්තක වෝල්ටීයතාවය සාධාරණයි.

-RCD, TVS අවශෝෂණ පරිපථ නිර්මාණය සාධාරණයි.

-පරපෝෂිත ප්‍රේරණය අවම කිරීම සඳහා අධි ධාරා රැහැන් හැකි තරම් විශාල විය යුතුය.

සුදුසු ද්වාර ප්‍රතිරෝධක Rg තෝරන්න.

-අවශ්‍ය පරිදි අධි බල සැපයුම් සඳහා RC damping හෝ Zener diode අවශෝෂණ එකතු කරන්න.

MOSFET අසාර්ථක වීමට හේතු සහ වැළැක්වීම (1)

ගේට්ටු වෝල්ටීයතා අසමත් වීම

අසාමාන්‍ය ලෙස ඉහළ ජාල වෝල්ටීයතාවයකට ප්‍රධාන හේතු තුනක් තිබේ: නිෂ්පාදනය, ප්‍රවාහනය සහ එකලස් කිරීමේදී ස්ථිතික විදුලිය; බල පද්ධති ක්‍රියාකාරිත්වය අතරතුර උපකරණ සහ පරිපථවල පරපෝෂිත පරාමිතීන් මගින් ජනනය කරන ලද අධි වෝල්ටීයතා අනුනාදයක්; සහ අධි වෝල්ටීයතා කම්පන වලදී Ggd හරහා අධි වෝල්ටීයතාව ජාලයට සම්ප්‍රේෂණය කිරීම (අකුණු පහර පරීක්ෂා කිරීමේදී බහුලව දක්නට ලැබෙන දෝෂයකි).

 

ගේට්ටු වෝල්ටීයතා දෝෂ වැළැක්වීම සඳහා පියවර:

ගේට්ටුව සහ ප්‍රභවය අතර අධි වෝල්ටීයතා ආරක්ෂණය: ගේට්ටුව සහ මූලාශ්‍රය අතර සම්බාධනය ඉතා ඉහළ වූ විට, ගේට්ටුව සහ මූලාශ්‍රය අතර වෝල්ටීයතාවයේ හදිසි වෙනස්වීම ඉලෙක්ට්‍රෝඩ අතර ධාරණාව හරහා ගේට්ටුවට සම්බන්ධ වන අතර එහි ප්‍රතිඵලයක් ලෙස ඉතා ඉහළ UGS වෝල්ටීයතා අධි-නියාමනය සිදුවේ. ගේට්ටුව අධික ලෙස නියාමනය කිරීමට තුඩු දෙයි. ස්ථිර ඔක්සිකාරක හානි. UGS ධනාත්මක සංක්‍රාන්ති වෝල්ටීයතාවයක නම්, උපාංගය දෝෂ ඇති කළ හැකිය. මෙම පදනම මත, ගේට් ඩ්‍රයිව් පරිපථයේ සම්බාධනය නිසි ලෙස අඩු කළ යුතු අතර ගේට්ටුව සහ ප්‍රභවය අතර තෙතමනය සහිත ප්‍රතිරෝධයක් හෝ 20V ස්ථායීකරණ වෝල්ටීයතාවයක් සම්බන්ධ කළ යුතුය. විවෘත දොර ක්රියාත්මක වීම වැළැක්වීම සඳහා විශේෂයෙන් සැලකිලිමත් විය යුතුය.

විසර්ජන නල අතර අධි වෝල්ටීයතා ආරක්ෂාව: පරිපථයේ ප්‍රේරකයක් තිබේ නම්, ඒකකය ක්‍රියා විරහිත කළ විට කාන්දු වන ධාරාවේ (di/dt) හදිසි වෙනස්වීම් හේතුවෙන් සැපයුම් වෝල්ටීයතාවයට වඩා ඉහළින් කාන්දු වන වෝල්ටීයතාවය වැඩි වී ඒකකයට හානි සිදු වේ. ආරක්ෂාවට Zener කලම්පයක්, RC කලම්පයක් හෝ RC මර්දන පරිපථයක් ඇතුළත් විය යුතුය.


පසු කාලය: ජූලි-17-2024