සමඟ මාරු කිරීමේ බල සැපයුමක් හෝ මෝටර් ඩ්රයිව් පරිපථයක් සැලසුම් කිරීමේදීmosfet, බොහෝ අය mos ට්‍රාන්සිස්ටරයේ ප්‍රතිරෝධය, උපරිම වෝල්ටීයතාවය සහ උපරිම ධාරාව සලකා බලනු ඇත, නමුත් ඔවුන් සලකා බලනු ඇත්තේ එපමණයි. එවැනි පරිපථයක් වැඩ කළ හැකි නමුත් එය උසස් තත්ත්වයේ පරිපථයක් නොවන අතර විධිමත් නිෂ්පාදනයක් ලෙස නිර්මාණය කිරීමට අවසර නැත.
වඩාත්ම වැදගත් ලක්ෂණයmosfetමාරු වෙමින් පවතී, එබැවින් එය විද්යුත් ස්විචය අවශ්ය වන විවිධ පරිපථවල පුළුල් ලෙස භාවිතා කළ හැක, එනම් මාරු කිරීමේ බල සැපයුම් සහ මෝටර් ඩ්රයිව් පරිපථය. වර්තමානයේ, mosfet යෙදුම් පරිපථ තත්ත්වය:
1, අඩු වෝල්ටීයතා යෙදුම්
5V බල සැපයුම භාවිතා කරන විට, සම්ප්‍රදායික totem ධ්‍රැව ව්‍යුහය භාවිතා කරන්නේ නම්, ට්‍රාන්සිස්ටරයේ වෝල්ටීයතා පහත වැටීම හේතුවෙන් 0.7V පමණ වන අතර, අවසානයේ ගේට්ටුව මත පැටවී ඇති සත්‍ය වෝල්ටීයතාව 4.3V පමණි, මේ අවස්ථාවේදී, අපි තෝරා ගන්නේ නම්. 4.5V වෝල්ටීයතාවයක් සහිත mosfet, සම්පූර්ණ පරිපථයට යම් අවදානමක් ඇත. 3V හෝ වෙනත් අඩු වෝල්ටීයතා බල සැපයුමක් භාවිතා කරන විට එම ගැටළුවම සිදුවනු ඇත.
2, පුළුල් වෝල්ටීයතා යෙදුම්
අපගේ එදිනෙදා ජීවිතයේදී, අප ආදානය කරන වෝල්ටීයතාවය ස්ථාවර අගයක් නොවේ, එය කාලය හෝ වෙනත් සාධක මගින් බලපානු ඇත. මෙම බලපෑම pwm පරිපථය mosfet වෙත ඉතා අස්ථායී රියදුරු වෝල්ටීයතාවයක් ලබා දෙනු ඇත. එබැවින් mos ට්‍රාන්සිස්ටර වලට ඉහල ගේට්ටු වෝල්ටීයතාවකදී ආරක්ෂිතව ක්රියා කිරීමට ඉඩ සැලසීම සඳහා, බොහෝmosfetsවර්තමානයේ ගේට්ටු වෝල්ටීයතාව සීමා කරන බිල්ට් වෝල්ටීයතා නියාමකයින් ඇත. මෙම අවස්ථාවෙහිදී, සපයන ලද ධාවක වෝල්ටීයතාවය නියාමකයේ වෝල්ටීයතාවයට වඩා වැඩි වන විට, ස්ථිතික බලශක්ති පරිභෝජනය සැලකිය යුතු ප්රමාණයක් සිදු වේ. ඒ සමගම, ප්රතිරෝධක වෝල්ටීයතා බෙදුම් මූලධර්මය භාවිතයෙන් ගේට්ටු වෝල්ටීයතාව සරලව අඩු කළහොත්, ආදාන වෝල්ටීයතාවය සාපේක්ෂව ඉහළ වන අතර mosfet හොඳින් ක්රියා කරයි. ආදාන වෝල්ටීයතාවය අඩු වූ විට, ද්වාර වෝල්ටීයතාව ප්රමාණවත් නොවේ, අසම්පූර්ණ සන්නායකතාවය සහ බලශක්ති පරිභෝජනය වැඩි වේ.
පසු කාලය: ජූලි-04-2024
