MOSFET, Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor ලෙස හඳුන්වනු ලබන, ක්ෂේත්‍ර බලපෑම් ට්‍රාන්සිස්ටර (FET) වර්ගයට අයත් බහුලව භාවිතා වන ඉලෙක්ට්‍රොනික උපාංගයකි.MOSFET එකක්ලෝහ ද්වාරයකින්, ඔක්සයිඩ් පරිවාරක තට්ටුවකින් (සාමාන්‍යයෙන් සිලිකන් ඩයොක්සයිඩ් SiO₂) සහ අර්ධ සන්නායක ස්ථරයකින් (සාමාන්‍යයෙන් සිලිකන් Si) සමන්විත වේ. මෙහෙයුමේ මූලධර්මය වන්නේ මතුපිට හෝ අර්ධ සන්නායක ඇතුළත විද්යුත් ක්ෂේත්රය වෙනස් කිරීම සඳහා ගේට්ටු වෝල්ටීයතාව පාලනය කිරීම, එමගින් මූලාශ්රය සහ කාණු අතර ධාරාව පාලනය කිරීමයි.
MOSFETsප්රධාන වර්ග දෙකකට වර්ග කළ හැක: N-නාලිකාවMOSFETs(NMOS) සහ P-නාලිකාවMOSFETs(PMOS). NMOS හි, ප්‍රභවයට සාපේක්ෂව ද්වාර වෝල්ටීයතාව ධනාත්මක වන විට, අර්ධ සන්නායක මතුපිට n-වර්ගයේ සන්නායක නාලිකා පිහිටුවා ඇති අතර, ප්‍රභවයේ සිට කාණු වෙත ඉලෙක්ට්‍රෝන ගලා යාමට ඉඩ සලසයි. PMOS වලදී, ප්‍රභවයට සාපේක්ෂව ද්වාර වෝල්ටීයතාව ඍණාත්මක වන විට, අර්ධ සන්නායක පෘෂ්ඨය මත p-වර්ගයේ සන්නායක නාලිකා පිහිටුවා ඇති අතර, මූලාශ්‍රයේ සිට කාණු වෙත සිදුරු ගලා යාමට ඉඩ සලසයි.
MOSFETsඉහළ ආදාන සම්බාධනය, අඩු ශබ්දය, අඩු බලශක්ති පරිභෝජනය සහ ඒකාබද්ධ කිරීමේ පහසුව වැනි බොහෝ වාසි ඇත, එබැවින් ඒවා ඇනලොග් පරිපථ, ඩිජිටල් පරිපථ, බල කළමනාකරණය, බලශක්ති ඉලෙක්ට්‍රොනික, සන්නිවේදන පද්ධති සහ වෙනත් ක්ෂේත්‍රවල බහුලව භාවිතා වේ. ඒකාබද්ධ පරිපථවල,MOSFETsCMOS (අනුපූරක ලෝහ ඔක්සයිඩ් අර්ධ සන්නායක) තාර්කික පරිපථ සෑදෙන මූලික ඒකක වේ. CMOS පරිපථ NMOS සහ PMOS හි වාසි ඒකාබද්ධ කරන අතර අඩු බලශක්ති පරිභෝජනය, අධික වේගය සහ ඉහළ ඒකාබද්ධතාවය මගින් සංලක්ෂිත වේ.
අතිරෙකව,MOSFETsඒවායේ සන්නායක නාලිකා පූර්ව පිහිටුවා තිබේද යන්න අනුව වැඩිදියුණු කිරීමේ වර්ගය සහ ක්ෂය වීමේ වර්ගය ලෙස වර්ගීකරණය කළ හැකිය. වැඩිදියුණු කිරීමේ වර්ගයMOSFETනාලිකාව සන්නායක නොවන විට ද්වාර වෝල්ටීයතාව ශුන්‍ය වේ, සන්නායක නාලිකාවක් සෑදීමට යම් ද්වාර වෝල්ටීයතාවයක් යෙදිය යුතුය; ක්ෂය වීමේ වර්ගය අතරතුරMOSFETනාලිකාව දැනටමත් සන්නායක වන විට ද්වාර වෝල්ටීයතාවයේ ශුන්‍ය වේ, නාලිකාවේ සන්නායකතාවය පාලනය කිරීමට ද්වාර වෝල්ටීයතාවය භාවිතා කරයි.
සාරාංශයකින්,MOSFETයනු ෙලෝහ ඔක්සයිඩ් අර්ධ සන්නායක ව්‍යුහයක් මත පදනම් වූ ක්ෂේත්‍ර ආචරණ ට්‍රාන්සිස්ටරයකි, එය ද්වාර වෝල්ටීයතාව පාලනය කිරීමෙන් ප්‍රභවය සහ කාණු අතර ධාරාව නියාමනය කරන අතර පුළුල් පරාසයක යෙදුම් සහ වැදගත් තාක්ෂණික අගයක් ඇත.
පසු කාලය: සැප්-12-2024
