MOSFET (ලෝහ-ඔක්සයිඩ්-අර්ධ සන්නායක ක්ෂේත්‍ර-ප්‍රයෝග ට්‍රාන්සිස්ටරය) ධ්‍රැව තුනක් ඇත:
ගේට්ටුව:G, MOSFET එකක ද්වාරය බයිපෝලර් ට්‍රාන්සිස්ටරයක පාදයට සමාන වන අතර MOSFET හි සන්නයනය සහ කපා හැරීම පාලනය කිරීමට භාවිතා කරයි. MOSFET වල, ද්වාර වෝල්ටීයතාව (Vgs) ප්‍රභවය සහ කාණු අතර සන්නායක නාලිකාවක් සෑදී ඇත්ද යන්න මෙන්ම සන්නායක නාලිකාවේ පළල සහ සන්නායකතාවය තීරණය කරයි. ගේට්ටුව ලෝහ, පොලිසිලිකන් යනාදී ද්‍රව්‍ය වලින් සාදා ඇති අතර ගේට්ටුව තුළට හෝ ඉන් පිටතට ධාරාව කෙලින්ම ගලා ඒම වැළැක්වීම සඳහා පරිවාරක තට්ටුවකින් (සාමාන්‍යයෙන් සිලිකන් ඩයොක්සයිඩ්) වට කර ඇත.
මූලාශ්රය:S, MOSFET හි මූලාශ්රය බයිපෝලර් ට්‍රාන්සිස්ටරයක විමෝචකයට සමාන වන අතර ධාරාව ගලා යන ස්ථානයයි. N-channel MOSFET වල, මූලාශ්රය සාමාන්‍යයෙන් බල සැපයුමේ සෘණ අග්‍රය (හෝ බිම්) වෙත සම්බන්ධ වන අතර P-channel MOSFET වල ප්‍රභවය බල සැපයුමේ ධන අග්‍රයට සම්බන්ධ වේ. මූලාශ්රය සන්නායක නාලිකාව සාදන ප්‍රධාන කොටස් වලින් එකකි, ගේට්ටු වෝල්ටීයතාව ප්‍රමාණවත් තරම් ඉහළ වූ විට ඉලෙක්ට්‍රෝන (N-නාලිකාව) හෝ සිදුරු (P-නාලිකාව) කාණුවට යවයි.
කාණු:D, MOSFET හි ජලාපවහනය බයිපෝලර් ට්‍රාන්සිස්ටරයක එකතු කරන්නාට සමාන වන අතර ධාරාව ගලා යන ස්ථානයයි. කාණු සාමාන්‍යයෙන් භාරයට සම්බන්ධ වන අතර පරිපථයේ ධාරා ප්‍රතිදානයක් ලෙස ක්‍රියා කරයි. MOSFET වලදී, කාණු යනු සන්නායක නාලිකාවේ අනෙක් කෙළවර වන අතර, ගේට්ටු වෝල්ටීයතාවය ප්‍රභවය සහ කාණු අතර සන්නායක නාලිකාවක් සෑදීම පාලනය කරන විට, ධාරාව ප්‍රභවයෙන් සන්නායක නාලිකාව හරහා කාණු වෙත ගලා යා හැක.
කෙටියෙන් කිවහොත්, MOSFET හි ගේට්ටුව ක්‍රියාත්මක වීම සහ අක්‍රිය කිරීම පාලනය කිරීමට භාවිතා කරයි, මූලාශ්රය යනු ධාරාව ගලා යන ස්ථානයයි, සහ කාණු යනු ධාරාව ගලා යන ස්ථානයයි. මෙම ධ්‍රැව තුන එක්ව MOSFET හි ක්‍රියාකාරී තත්ත්වය සහ ක්‍රියාකාරිත්වය තීරණය කරයි. .
පසු කාලය: සැප්-26-2024
