විශාල පැකේජ MOSFET රියදුරු පරිපථය

පළමුවෙන්ම, MOSFET වර්ගය සහ ව්‍යුහය, MOSFET යනු FET (තවත් එකක් JFET), වැඩිදියුණු කළ හෝ ක්ෂය වීමේ වර්ගය, P-channel හෝ N-channel ලෙස වර්ග හතරකින් නිෂ්පාදනය කළ හැකි නමුත්, වැඩි දියුණු කරන ලද N හි සැබෑ යෙදුම පමණි. -channel MOSFETs සහ වැඩි දියුණු කරන ලද P-channel MOSFETs, එබැවින් සාමාන්‍යයෙන් NMOSFET ලෙස හැඳින්වේ, නැතහොත් PMOSFET යනු සාමාන්‍යයෙන් සඳහන් වන NMOSFET වෙත යොමු කරයි, නැතහොත් PMOSFET මෙම වර්ග දෙකට යොමු කරයි. මෙම වැඩිදියුණු කරන ලද MOSFET වර්ග දෙක සඳහා, NMOSFETs බහුලව භාවිතා වන්නේ ඒවායේ අඩු ප්‍රතිරෝධය සහ නිෂ්පාදනයේ පහසුව නිසාය. එබැවින්, NMOSFETs සාමාන්‍යයෙන් බල සැපයුම සහ මෝටර් ඩ්‍රයිව් යෙදුම් මාරු කිරීමේදී භාවිතා වන අතර පහත හැඳින්වීම NMOSFETs කෙරෙහි ද අවධානය යොමු කරයි. පරපෝෂිත ධාරණාව පයින් තුන අතර පවතීMOSFET, අවශ්ය නොවේ, නමුත් නිෂ්පාදන ක්රියාවලියේ සීමාවන් නිසා. පරපෝෂිත ධාරණාව පැවතීම ධාවක පරිපථයක් සැලසුම් කිරීම හෝ තේරීම තරමක් අපහසු කරයි. කාණු සහ මූලාශ්රය අතර පරපෝෂිත ඩයෝඩයක් ඇත. මෙය බොඩි ඩයෝඩය ලෙස හඳුන්වන අතර මෝටර වැනි ප්‍රේරක බර ධාවනය කිරීමේදී වැදගත් වේ. මාර්ගය වන විට, ශරීර ඩයෝඩය තනි තනි MOSFET වල පමණක් පවතින අතර සාමාන්යයෙන් IC චිපයක් තුළ නොමැත.

 

  

 

දැන් දMOSFETඅඩු වෝල්ටීයතා යෙදුම් ධාවනය කරන්න, 5V බල සැපයුමක් භාවිතා කරන විට, ඔබ සම්ප්‍රදායික ටෝටම් ධ්‍රැව ව්‍යුහය භාවිතා කරන්නේ නම්, ට්‍රාන්සිස්ටරය හේතුවෙන් 0.7V වෝල්ටීයතා පහත වැටීමක් ඇති අතර, එහි ප්‍රතිඵලයක් ලෙස වෝල්ටීයතාවයේ ගේට්ටුවට එකතු කරන ලද සත්‍ය අවසාන අගය පමණි. 4.3 V. මෙම අවස්ථාවේදී, අපි ඇතැම් අවදානම් පැවැත්ම මත MOSFET හි 4.5V නාමික ද්වාර වෝල්ටීයතාව තෝරා ගනිමු. 3V හෝ වෙනත් අඩු-වෝල්ටීයතා බල සැපයුම් අවස්ථා භාවිතා කිරීමේදීද එම ගැටළුව ඇතිවේ. තාර්කික අංශය සාමාන්‍ය 5V හෝ 3.3V ඩිජිටල් වෝල්ටීයතාවයක් භාවිතා කරන අතර බල කොටස 12V හෝ ඊට වැඩි අගයක් භාවිතා කරන සමහර පාලන පරිපථවල ද්විත්ව වෝල්ටීයතාවය භාවිතා වේ. පොදු බිමක් භාවිතයෙන් වෝල්ටීයතා දෙක සම්බන්ධ වේ. මෙය අඩු වෝල්ටීයතා පැත්තට අධි වෝල්ටීයතා පැත්තේ MOSFET ඵලදායී ලෙස පාලනය කිරීමට ඉඩ සලසන පරිපථයක් භාවිතා කිරීමේ අවශ්‍යතාවයක් ඇති කරන අතර අධි වෝල්ටීයතා පැත්තේ MOSFET 1 සහ 2 හි සඳහන් ගැටළු වලටම මුහුණ දෙනු ඇත.

 

අවස්ථා තුනේදීම, ටෝටම් ධ්‍රැව ව්‍යුහයට ප්‍රතිදාන අවශ්‍යතා සපුරාලිය නොහැකි අතර, බොහෝ පිටත MOSFET ධාවක IC වල ගේට්ටු වෝල්ටීයතා සීමා කිරීමේ ව්‍යුහයක් ඇතුළත් නොවන බව පෙනේ. ආදාන වෝල්ටීයතාවය ස්ථාවර අගයක් නොවේ, එය කාලය හෝ වෙනත් සාධක සමඟ වෙනස් වේ. මෙම විචලනය PWM පරිපථය මගින් MOSFET වෙත සපයන ලද ධාවක වෝල්ටීයතාවය අස්ථායී වීමට හේතු වේ. MOSFET ඉහළ ගේට්ටු වෝල්ටීයතාවයෙන් ආරක්ෂා කිරීම සඳහා, බොහෝ MOSFET වල ගේට්ටු වෝල්ටීයතාවයේ විස්තාරය බලහත්කාරයෙන් සීමා කිරීම සඳහා සවි කර ඇති වෝල්ටීයතා නියාමක ඇත. මෙම අවස්ථාවෙහිදී, ධාවක වෝල්ටීයතාවය වෝල්ටීයතා නියාමකයට වඩා ලබා දුන් විට, එය එකවර විශාල ස්ථිතික බලශක්ති පරිභෝජනයක් ඇති කරයි, ඔබ ගේට්ටුවේ වෝල්ටීයතාවය අඩු කිරීම සඳහා ප්‍රතිරෝධක වෝල්ටීයතා බෙදුම්කරු මූලධර්මය භාවිතා කරන්නේ නම්, සාපේක්ෂව ඉහළ අගයක් ලැබෙනු ඇත. ආදාන වෝල්ටීයතාවය, දMOSFETහොඳින් ක්‍රියා කරන අතර, සම්පූර්ණ සන්නායකතාවයට වඩා අඩු සන්නායකතාවක් ඇති කිරීමට ගේට් වෝල්ටීයතාව ප්‍රමාණවත් නොවන විට ආදාන වෝල්ටීයතාව අඩු වන අතර එමඟින් බලශක්ති පරිභෝජනය වැඩි වේ.

 

සරල විශ්ලේෂණයක් සිදු කිරීම සඳහා NMOSFET ධාවක පරිපථය සඳහා පමණක් මෙහි සාපේක්ෂ පොදු පරිපථය: Vl සහ Vh යනු අඩු-අන්ත සහ ඉහළ-අන්ත බල සැපයුමයි, වෝල්ටීයතා දෙක සමාන විය හැක, නමුත් Vl Vh නොඉක්මවිය යුතුය. Q1 සහ Q2 ප්‍රතිලෝම ටෝටම් ධ්‍රැවයක් සාදයි, හුදකලා වීම අවබෝධ කර ගැනීම සඳහා භාවිතා කරන අතර, එම අවස්ථාවේදීම Q3 සහ Q4 යන ධාවක නල දෙක එකම වේලාවක සන්නයනය නොවන බව සහතික කරයි. R2 සහ R3 PWM වෝල්ටීයතාවයක් සපයන අතර R3 PWM වෝල්ටීයතා යොමුව සපයයි, මෙම යොමුව වෙනස් කිරීමෙන්, ඔබට PWM සංඥා තරංග ආකෘතියේ පරිපථය සාපේක්ෂ වශයෙන් බෑවුම් සහ කෙළින් පිහිටීමට ඉඩ දිය හැකිය. ධාවක ධාරාව සැපයීමට Q3 සහ Q4 භාවිතා කරනු ලැබේ, නියමිත වේලාවට, Vh සහ GND වලට සාපේක්ෂව Q3 සහ Q4 යනු අවම Vce වෝල්ටීයතා පහත වැටීමක් පමණි, මෙම වෝල්ටීයතා පහත වැටීම සාමාන්‍යයෙන් 0.3V හෝ ඊට වඩා අඩුය. 0.7V ට වඩා Vce R5 සහ R6 යනු ප්‍රතිපෝෂණ ප්‍රතිරෝධක වන අතර R5 ගේට්ටුව සඳහා භාවිතා කරන අතර R6 යනු ද්වාර වෝල්ටීයතාව සාම්පල කිරීමට භාවිතා කරන ප්‍රතිපෝෂණ ප්‍රතිරෝධක වන අතර Q1 සහ Q2 හි පාද මත ප්‍රබල ඍණාත්මක ප්‍රතිපෝෂණයක් ජනනය කිරීම සඳහා Q5 හරහා ගමන් කරයි. ගේට්ටු වෝල්ටීයතාව සීමිත අගයකට. මෙම අගය R5 සහ R6 මගින් සකස් කළ හැක. අවසාන වශයෙන්, R1 මඟින් Q3 සහ Q4 වෙත පාදක ධාරාවෙහි සීමාව ලබා දෙන අතර R4 මඟින් Q3Q4 හි Ice හි සීමාව වන MOSFETs සඳහා ද්වාර ධාරාවෙහි සීමාව සපයයි. අවශ්ය නම් R4 ට ඉහලින් ත්වරණ ධාරිත්රකයක් සමාන්තරව සම්බන්ධ කළ හැක.