වර්තමාන MOS ධාවක සමඟ, අසාමාන්ය අවශ්යතා කිහිපයක් තිබේ:
1. අඩු වෝල්ටීයතා යෙදුම
5V යෙදුම මාරු කරන විටබල සැපයුම, මේ අවස්ථාවේ දී සම්ප්රදායික totem ධ්රැවය ව්යුහය භාවිතය නම්, triode පමණක් 0.7V ඉහළ සහ පහළ පාඩුවක් නිසා, වෝල්ටීයතා මත නිශ්චිත අවසන් බර ගේට් ප්රතිඵලයක් ලෙස 4.3V පමණක්, මේ අවස්ථාවේ දී, අවසර ගේට්ටු වෝල්ටීයතා භාවිතය 4.5V කMOSFETs යම් තරමක අවදානමක් ඇත.එකම තත්ත්වය 3V හෝ වෙනත් අඩු වෝල්ටීයතා මාරු බල සැපයුමක් යෙදීමේදී ද සිදු වේ.
2.Wide වෝල්ටීයතා යෙදුම
යතුරු වෝල්ටීයතාවයට සංඛ්‍යාත්මක අගයක් නොමැත, එය වරින් වර හෝ වෙනත් සාධක නිසා වෙනස් වේ. මෙම විචලනය PWM පරිපථය මගින් MOSFET වෙත ලබා දෙන ධාවකයේ වෝල්ටීයතාවය අස්ථායී වීමට හේතු වේ.
ඉහළ ගේට්ටු වෝල්ටීයතාවයකින් MOSFET වඩා හොඳින් ආරක්ෂා කිරීම සඳහා, බොහෝ MOSFET වල ගේට්ටු වෝල්ටීයතාවයේ විශාලත්වය මත සීමාවක් බල කිරීමට වෝල්ටීයතා නියාමක තැන්පත් කර ඇත. මෙම අවස්ථාවෙහිදී, ධාවකයේ වෝල්ටීයතාව නියාමකයේ වෝල්ටීයතාවයට වඩා වැඩි වන විට, විශාල ස්ථිතික ශ්රිතයක් අහිමි වීම සිදු වේ.
ඒත් එක්කම ගේට් වෝල්ටේජ් එක අඩු කරන්න රෙසිස්ටර වෝල්ටේජ් ඩිවයිඩරේ මුලික ප්‍රතිපත්තිය පාවිච්චි කලොත් වෙන්නේ කීඩ් වෝල්ටේජ් එක වැඩි නම් MOSFET එක හොදට වැඩ කරන එකයි, කීඩ් වෝල්ටේජ් එක අඩු උනොත් ගේට් වෝල්ටේජ් එක නෑ. ප්‍රමාණවත්, ප්‍රමාණවත් නොවන හැරීමක් සහ අක්‍රිය කිරීමක් සිදු වන අතර එමඟින් ක්‍රියාකාරී අලාභය වැඩි වේ.
3. ද්විත්ව වෝල්ටීයතා යෙදුම්
සමහර පාලන පරිපථවල, පරිපථයේ තාර්කික කොටස සාමාන්‍ය 5V හෝ 3.3V දත්ත වෝල්ටීයතාවයක් යොදන අතර, ප්‍රතිදාන බල කොටස 12V හෝ ඊට වැඩි අගයක් යොදන අතර වෝල්ටීයතා දෙක පොදු භූමියට සම්බන්ධ වේ.
1 සහ 2 හි සඳහන් දුෂ්කරතාවන්ට මුහුණ දීමට අධි වෝල්ටීයතා MOSFET හට හැකි වන අතර, අඩු වෝල්ටීයතා පැත්තට ඉහළ වෝල්ටීයතා MOSFET සාධාරණ ලෙස හැසිරවිය හැකි වන පරිදි බල සැපයුම් පරිපථයක් භාවිතා කළ යුතු බව මෙයින් පැහැදිලි වේ.
මෙම අවස්ථා තුනේදී, ටෝටම් ධ්‍රැව ඉදිකිරීමට ප්‍රතිදාන අවශ්යතා සපුරාලිය නොහැකි අතර, දැනට පවතින බොහෝ MOS ධාවක IC වල ගේට් වෝල්ටියතාව සීමා කරන ඉදිකිරීමක් ඇතුළත් නොවන බව පෙනේ.
පසු කාලය: ජූලි-24-2024
