අර්ධ සන්නායක ක්ෂේත්රයේ වඩාත් මූලික උපාංගවලින් එකක් ලෙස, MOSFETs IC සැලසුම් සහ පුවරු මට්ටමේ පරිපථ දෙකෙහිම බහුලව භාවිතා වේ. වර්තමානයේ, විශේෂයෙන්ම අධි බලැති අර්ධ සන්නායක ක්ෂේත්රයේ, MOSFET හි විවිධ ව්යුහයන් ද ආපසු හැරවිය නොහැකි කාර්යභාරයක් ඉටු කරයි. සඳහාMOSFETs, එහි ව්‍යුහය එකක සරල හා සංකීර්ණ කට්ටලයක් යැයි පැවසිය හැකිය, සරල එහි ව්‍යුහය සරල ය, සංකීර්ණය එහි ගැඹුරින් සලකා බැලීමේ යෙදුම මත පදනම් වේ. එදිනෙදා,MOSFET තාපය ද ඉතා පොදු තත්වයක් ලෙස සලකනු ලැබේ, යතුර අප දැනගත යුත්තේ කොතැනින්ද යන්න සහ කුමන ක්‍රම විසඳිය හැකිද? මීළඟට අපි තේරුම් ගැනීමට එකතු වෙමු.
I. හේතුMOSFET උණුසුම් කිරීම
1, පරිපථ නිර්මාණයේ ගැටලුව. MOSFET ට මාරුවීමේ තත්ත්‍වයේ නොව ඔන්ලයින් තත්වයේ වැඩ කිරීමට ඉඩ දීමයි. MOSFET රත් වීමට මෙය එක් හේතුවකි. N-MOS මාරු කිරීම සිදු කරන්නේ නම්, G-මට්ටමේ වෝල්ටීයතාවය සම්පූර්ණයෙන්ම ක්‍රියාත්මක වීමට නම් බල සැපයුමට වඩා V කිහිපයක් වැඩි විය යුතු අතර P-MOS සඳහා ප්‍රතිවිරුද්ධ දෙය සත්‍ය වේ. සම්පූර්ණයෙන්ම විවෘත නොවන අතර වෝල්ටීයතා පහත වැටීම ඉතා විශාල බැවින් බලශක්ති පරිභෝජනය, සමාන DC සම්බාධනය සාපේක්ෂව විශාල වේ, වෝල්ටීයතා පහත වැටීම වැඩි වේ, එබැවින් U * I ද වැඩි වේ, පාඩුව යනු තාපයයි.
2, සංඛ්‍යාතය වැඩිය. ප්‍රධාන වශයෙන් සමහර විට පරිමාව සඳහා ඕනෑවට වඩා වැඩි වන අතර එහි ප්‍රතිඵලයක් ලෙස සංඛ්‍යාතය වැඩි වේ, වැඩි වීම මත MOSFET පාඩු, එය MOSFET රත් වීමට ද හේතු වේ.
3, ධාරාව වැඩියි. හැඳුනුම්පත උපරිම ධාරාවට වඩා අඩු වූ විට, එය MOSFET රත් වීමට ද හේතු වේ.
4, MOSFET ආකෘතියේ තේරීම වැරදියි. MOSFET හි අභ්‍යන්තර ප්‍රතිරෝධය සම්පූර්ණයෙන්ම නොසලකන අතර, එහි ප්‍රතිඵලයක් ලෙස මාරුවීමේ සම්බාධනය වැඩි වේ.ඔබ,
MOSFET හි දැඩි තාප උත්පාදනය සඳහා විසඳුම
1, MOSFET හි තාප සින්ක් නිර්මාණය පිළිබඳ හොඳ කාර්යයක් කරන්න.
2, ප්රමාණවත් තරම් සහායක තාප සින්ක් එකතු කරන්න.
3, තාප සින්ක් මැලියම් අලවන්න.
පසු කාලය: මැයි-19-2024
