1, විදුලි වාහන පාලකයේ MOSFET හි භූමිකාව
සරලව කිවහොත්, මෝටරය ධාවනය වන්නේ ප්‍රතිදාන ධාරාව මගිනිMOSFET, ඉහළ නිමැවුම් ධාරාව (MOSFET දහනය වීම වැළැක්වීම සඳහා, පාලකයට වත්මන් සීමාව ආරක්ෂාව ඇත), මෝටර් ව්යවර්ථය ශක්තිමත් වන අතර, ත්වරණය වඩාත් බලවත් වේ.
2, MOSFET හි මෙහෙයුම් තත්ත්වයෙහි පාලන පරිපථය
විවෘත ක්‍රියාවලිය, තත්වය මත, ක්‍රියා විරහිත ක්‍රියාවලිය, කඩඉම් තත්ත්වය, බිඳවැටීමේ තත්ත්වය.
MOSFET හි ප්රධාන අලාභ අතරට මාරුවීමේ අලාභ (ක්‍රියාවලිය ක්‍රියාත්මක සහ අක්‍රිය), සන්නායක පාඩු, කඩඉම් පාඩු (නොසැලකිය හැකි කාන්දු වන ධාරාව නිසා ඇති වන), හිම කුණාටු බලශක්ති පාඩු ඇතුළත් වේ. මෙම පාඩු MOSFET හි දරාගත හැකි පරාසය තුළ පාලනය කළහොත්, MOSFET නිසි ලෙස ක්‍රියා කරයි, එය දරාගත හැකි සීමාව ඉක්මවා ගියහොත්, හානිය සිදුවනු ඇත.
මාරුවීමේ පාඩුව බොහෝ විට සන්නායක තත්ත්වයට වඩා වැඩි වේ, විශේෂයෙන්ම PWM සම්පූර්ණයෙන්ම විවෘත නොවේ, ස්පන්දන පළල මොඩියුලේෂන් (විදුලි මෝටර් රථයේ ආරම්භක ත්වරණ තත්ත්වයට අනුරූප) සහ ඉහළම වේගවත් තත්වය බොහෝ විට සන්නායක අලාභය වේ. ආධිපත්යය දැරීය.
3, ප්රධාන හේතුMOSහානි
අධි ධාරා, අධික උෂ්ණත්ව හානි නිසා ඇතිවන අධික ධාරාව (සංධි උෂ්ණත්වය නිසා ඇතිවන තිරසාර අධි ධාරා සහ ක්ෂණික අධි ධාරා ස්පන්දන ඉවසීමේ අගය ඉක්මවා යයි); අධි වෝල්ටීයතාවය, ප්‍රභව-ජලාපවහන මට්ටම බිඳවැටීමේ වෝල්ටීයතාවයට හා බිඳවැටීමට වඩා වැඩි ය; ගේට්ටු බිඳවැටීම, සාමාන්‍යයෙන් උපරිම අවසර ලත් වෝල්ටීයතාවයට වඩා බාහිර හෝ ධාවක පරිපථයෙන් ගේට්ටු වෝල්ටීයතාවයට හානි වීම (සාමාන්‍යයෙන් ගේට්ටු වෝල්ටීයතාව 20v ට වඩා අඩු වීම අවශ්‍ය වේ), මෙන්ම ස්ථිතික විදුලි හානිය.
4, MOSFET මාරු කිරීමේ මූලධර්මය
MOSFET යනු වෝල්ටීයතාවයෙන් ක්‍රියාත්මක වන උපාංගයකි, Gate G සහ මූලාශ්‍ර අදියර S ප්‍රභව අදියර අතර සුදුසු වෝල්ටීයතාවයක් ලබා දෙන තාක් දුරට S සහ D ප්‍රභව අදියර අතර සන්නායක පරිපථයක් සාදනු ඇත. මෙම ධාරා මාර්ගයේ ප්රතිරෝධය MOSFET අභ්යන්තර ප්රතිරෝධය බවට පත් වේ, එනම්, ප්රතිරෝධය වේ. මෙම අභ්යන්තර ප්‍රතිරෝධයේ ප්‍රමාණය මූලික වශයෙන් උපරිම on-state ධාරාව තීරණය කරයිMOSFETචිපයට ඔරොත්තු දිය හැකිය (ඇත්ත වශයෙන්ම, වෙනත් සාධක සමඟ සම්බන්ධ වේ, වඩාත්ම අදාළ වන්නේ තාප ප්රතිරෝධයයි). අභ්යන්තර ප්රතිරෝධය කුඩා වන තරමට ධාරාව වැඩි වේ.
පසු කාලය: අප්‍රේල්-24-2024
