ඉන්වර්ටර් MOSFET රත් වීමට හේතු මොනවාද?

ඉන්වර්ටරයේ MOSFET ක්‍රියා කරන්නේ ස්විචින් තත්වයක වන අතර MOSFET හරහා ගලා යන ධාරාව ඉතා ඉහළය. MOSFET නිවැරදිව තෝරාගෙන නොමැති නම්, රියදුරු වෝල්ටීයතා විස්තාරය ප්රමාණවත් නොවේ නම් හෝ පරිපථ තාපය විසුරුවා හැරීම හොඳ නැත, එය MOSFET රත් වීමට හේතු විය හැක.

 

1, ඉන්වර්ටර් MOSFET උණුසුම බරපතල ය, අවධානය යොමු කළ යුතුයMOSFETතෝරා ගැනීම

මාරුවීමේ තත්වයේ ඇති ඉන්වර්ටරයේ MOSFET, සාමාන්‍යයෙන් එහි කාණු ධාරාව හැකි තරම් විශාල, ප්‍රතිරෝධය හැකි තරම් කුඩා අවශ්‍ය වේ, එවිට ඔබට MOSFET හි සංතෘප්ත වෝල්ටීයතා පහත වැටීම අඩු කළ හැකිය, එමඟින් පරිභෝජනයෙන් MOSFET අඩු කරයි, තාපය.

MOSFET අත්පොත පරීක්ෂා කරන්න, MOSFET හි ඔරොත්තු දෙන වෝල්ටීයතා අගය වැඩි වන තරමට එහි ප්‍රතිරෝධය වැඩි වන බවත්, ඉහළ කාණු ධාරාවක් ඇති, MOSFET හි අඩු ඔරොත්තු දෙන වෝල්ටීයතා අගයක් ඇති අයට, එහි ප්‍රතිරෝධය සාමාන්‍යයෙන් දස ගණනකට වඩා අඩු බවත් අපට පෙනී යනු ඇත. මිලියන.

5A බර ධාරාවක් යැයි උපකල්පනය කරමින්, අපි සාමාන්‍යයෙන් භාවිතා කරන MOSFETRU75N08R ඉන්වර්ටරය තෝරා ගන්නා අතර 500V 840 වෝල්ටීයතා අගයට ඔරොත්තු දිය හැකිය, ඒවායේ කාණු ධාරාව 5A හෝ ඊට වැඩි වේ, නමුත් MOSFET දෙකෙහි ප්‍රතිරෝධය වෙනස් වේ, එකම ධාරාව ධාවනය කරන්න. , ඔවුන්ගේ තාප වෙනස ඉතා විශාල වේ. 75N08R මත ප්‍රතිරෝධය 0.008Ω පමණක් වන අතර 840 හි ප්‍රතිරෝධය 75N08R හි ප්‍රතිරෝධය 0.008Ω පමණක් වන අතර 840 හි ප්‍රතිරෝධය 0.85Ω වේ. MOSFET හරහා ගලා යන භාර ධාරාව 5A වන විට, 75N08R හි MOSFET හි වෝල්ටීයතා පහත වැටීම 0.04V පමණක් වන අතර MOSFET හි MOSFET පරිභෝජනය 0.2W පමණක් වන අතර 840's MOSFET හි වෝල්ටීයතා පහත වැටීම 4.25W දක්වා විය හැකි අතර පරිභෝජනය. MOSFET හි 21.25W තරම් ඉහළ අගයක් ගනී. මෙයින්, MOSFET හි ප්‍රතිරෝධය 75N08R හි ප්‍රතිරෝධයට වඩා වෙනස් බවත්, ඒවායේ තාප උත්පාදනය බෙහෙවින් වෙනස් බවත් දැකගත හැකිය. MOSFET හි ප්‍රතිරෝධය කුඩා වන තරමට, MOSFET හි ප්‍රතිරෝධය වඩා හොඳය, ඉහළ ධාරා පරිභෝජනය යටතේ MOSFET නළය තරමක් විශාල වේ.

 

2, රියදුරු වෝල්ටීයතා විස්තාරයේ ධාවන පරිපථය ප්රමාණවත් නොවේ

MOSFET යනු වෝල්ටීයතා පාලන උපාංගයකි, ඔබට MOSFET ටියුබ් පරිභෝජනය අඩු කිරීමට, තාපය අඩු කිරීමට අවශ්‍ය නම්, MOSFET ගේට් ධාවක වෝල්ටීයතා විස්තාරය ප්‍රමාණවත් තරම් විශාල විය යුතුය, ස්පන්දන දාරය ඉහළට ධාවනය කිරීම, අඩු කළ හැකිය.MOSFETනල වෝල්ටීයතා පහත වැටීම, MOSFET නල පරිභෝජනය අඩු කිරීම.

 

3, MOSFET තාපය විසුරුවා හැරීම හොඳ හේතුවක් නොවේ

ඉන්වර්ටර් MOSFET උණුසුම බරපතල ය. ඉන්වර්ටර් MOSFET නල පරිභෝජනය විශාල බැවින්, කාර්යය සඳහා සාමාන්‍යයෙන් තාප සින්ක්හි ප්‍රමාණවත් තරම් විශාල බාහිර ප්‍රදේශයක් අවශ්‍ය වන අතර, බාහිර තාප සින්ක් සහ තාප සින්ක් අතර ඇති MOSFET සමීපව සම්බන්ධ විය යුතුය (සාමාන්‍යයෙන් තාප සන්නායකතාවයෙන් ආලේප කිරීම අවශ්‍ය වේ. සිලිකොන් ග්‍රීස්), බාහිර තාප සින්ක් කුඩා නම් හෝ MOSFET සමඟ තාප සින්ක් ස්පර්ශයට ප්‍රමාණවත් තරම් සමීප නොවේ නම්, MOSFET රත් වීමට හේතු විය හැක.

ඉන්වර්ටර් MOSFET උණුසුම් කිරීම බරපතල සාරාංශයට හේතු හතරක් ඇත.

MOSFET සුළු උනුසුම් වීම සාමාන්‍ය සංසිද්ධියකි, නමුත් උනුසුම් වීම බරපතල වන අතර MOSFET පුළුස්සා දැමීමට පවා හේතු වේ, පහත හේතු හතරක් ඇත:

 

1, පරිපථ නිර්මාණයේ ගැටලුව

MOSFET ස්විචින් පරිපථ තත්වයට වඩා රේඛීය මෙහෙයුම් තත්වයක වැඩ කිරීමට ඉඩ දෙන්න. එය MOSFET රත් වීමට එක් හේතුවක් ද වේ. N-MOS මාරු කිරීම සිදු කරන්නේ නම්, G-මට්ටමේ වෝල්ටීයතාවය සම්පූර්ණයෙන්ම ක්‍රියාත්මක වීමට බල සැපයුමට වඩා V කිහිපයක් වැඩි විය යුතු අතර P-MOS ප්‍රතිවිරුද්ධ වේ. සම්පූර්ණයෙන්ම විවෘත නොවන අතර වෝල්ටීයතා පහත වැටීම ඉතා විශාල බැවින් බලශක්ති පරිභෝජනය, සමාන DC සම්බාධනය විශාල වේ, වෝල්ටීයතා පහත වැටීම වැඩි වේ, එබැවින් U * I ද වැඩි වේ, පාඩුව යනු තාපයයි. පරිපථයේ සැලසුමේ වඩාත්ම වළක්වා ඇති දෝෂය මෙයයි.

 

2, වැඩි සංඛ්‍යාතයක්

ප්‍රධාන හේතුව සමහර විට අධික ලෙස පරිමාව ලුහුබැඳීම නිසා සංඛ්‍යාතය වැඩි වීම,MOSFETවිශාල මත පාඩු, ඒ නිසා තාපය ද වැඩි වේ.

 

3, ප්රමාණවත් තාප නිර්මාණය නොවේ

ධාරාව ඉතා ඉහළ නම්, MOSFET හි නාමික ධාරා අගය, සාක්ෂාත් කර ගැනීම සඳහා සාමාන්‍යයෙන් හොඳ තාප විසර්ජනයක් අවශ්‍ය වේ. එබැවින් හැඳුනුම්පත උපරිම ධාරාවට වඩා අඩුය, එය ද නරක ලෙස රත් විය හැක, ප්රමාණවත් සහායක තාප සින්ක් අවශ්ය වේ.

 

4, MOSFET තේරීම වැරදියි

බලය පිළිබඳ වැරදි විනිශ්චය, MOSFET අභ්‍යන්තර ප්‍රතිරෝධය සම්පූර්ණයෙන්ම නොසලකන අතර, එහි ප්‍රතිඵලයක් ලෙස මාරුවීමේ සම්බාධනය වැඩි වේ.