MOSFET හි කාර්යයන් මොනවාද?

MOSFET හි ප්‍රධාන වර්ග දෙකක් තිබේ: බෙදීම් හන්දි වර්ගය සහ පරිවරණය කළ ගේට්ටු වර්ගය. හන්දිය MOSFET (JFET) ලෙස නම් කර ඇත්තේ එයට PN හන්දි දෙකක් සහ පරිවරණය කළ ගේට්ටුවක් ඇති බැවිනි.MOSFET(JGFET) ලෙස නම් කර ඇත්තේ ගේට්ටුව වෙනත් ඉලෙක්ට්‍රෝඩ වලින් සම්පූර්ණයෙන්ම පරිවරණය කර ඇති බැවිනි. වර්තමානයේ, පරිවරණය කරන ලද MOSFETs අතර, බහුලව භාවිතා වන MOSFET වේ, MOSFET (ලෝහ-ඔක්සයිඩ්-අර්ධ සන්නායක MOSFET) ලෙස හැඳින්වේ; මීට අමතරව, PMOS, NMOS සහ VMOS බල MOSFETs මෙන්ම මෑතකදී දියත් කරන ලද πMOS සහ VMOS බල මොඩියුල ආදියද ඇත.

 

විවිධ නාලිකා අර්ධ සන්නායක ද්රව්ය අනුව, සන්ධි වර්ගය සහ පරිවාරක ගේට්ටු වර්ගය නාලිකාව සහ P නාලිකාව ලෙස බෙදා ඇත. සන්නායකතා මාදිලිය අනුව බෙදුවහොත්, MOSFET ක්ෂය වීමේ වර්ගය සහ වැඩිදියුණු කිරීමේ වර්ගයට බෙදිය හැකිය. හන්දි MOSFET සියල්ලම ක්ෂය වීමේ වර්ගය වන අතර පරිවරණය කරන ලද ද්වාර MOSFET ක්ෂය වීමේ වර්ගය සහ වැඩිදියුණු කිරීමේ වර්ගය යන දෙකම වේ.

ක්ෂේත්‍ර ආචරණ ට්‍රාන්සිස්ටර සන්ධි ක්ෂේත්‍ර ආචරණ ට්‍රාන්සිස්ටර සහ MOSFET ලෙස බෙදිය හැකිය. MOSFET වර්ග හතරකට බෙදා ඇත: N-නාලිකාව ක්ෂය වීමේ වර්ගය සහ වැඩිදියුණු කිරීමේ වර්ගය; P-නාලිකාව ක්ෂය වීමේ වර්ගය සහ වැඩිදියුණු කිරීමේ වර්ගය.

 

MOSFET හි ලක්ෂණ

MOSFET හි ලක්ෂණය වන්නේ දකුණු දොර වෝල්ටීයතා UG ය; එහි කාණු වත්මන් හැඳුනුම්පත පාලනය කරයි. සාමාන්‍ය බයිපෝලර් ට්‍රාන්සිස්ටර හා සසඳන විට, MOSFET වල ඉහළ ආදාන සම්බාධනය, අඩු ශබ්දය, විශාල ගතික පරාසය, අඩු බල පරිභෝජනය සහ පහසු ඒකාබද්ධතාවය යන ලක්ෂණ ඇත.

 

සෘණ පක්ෂග්රාහී වෝල්ටීයතාවයේ (-UG) නිරපේක්ෂ අගය වැඩි වන විට, ක්ෂය වීමේ ස්ථරය වැඩි වේ, නාලිකාව අඩු වේ, සහ කාණු වත්මන් ID අඩු වේ. සෘණ පක්ෂග්රාහී වෝල්ටීයතාවයේ (-UG) නිරපේක්ෂ අගය අඩු වන විට, ක්ෂය වීමේ ස්ථරය අඩු වේ, නාලිකාව වැඩි වේ, සහ කාණු වත්මන් ID වැඩි වේ. කාණු ධාරා හැඳුනුම්පත ගේට්ටු වෝල්ටීයතාවයෙන් පාලනය වන බව දැකිය හැකිය, එබැවින් MOSFET යනු වෝල්ටීයතා පාලිත උපාංගයකි, එනම් ප්‍රතිදාන ධාරාවේ වෙනස්කම් ආදාන වෝල්ටීයතාවයේ වෙනස්කම් මගින් පාලනය වන අතර එමඟින් විස්තාරණය සහ වෙනත් අරමුණු.

 

බයිපෝලර් ට්‍රාන්සිස්ටර මෙන්, විස්තාරණය වැනි පරිපථවල MOSFET භාවිතා කරන විට, එහි ද්වාරයට ද bias වෝල්ටීයතාවයක් එක් කළ යුතුය.

හන්දි ක්ෂේත්‍ර ආචරණ නළයේ ගේට්ටුව ප්‍රතිලෝම නැඹුරු වෝල්ටීයතාවයකින් යෙදිය යුතුය, එනම් N-නාලිකාවට සෘණ ද්වාර වෝල්ටීයතාවයක් යෙදිය යුතු අතර P-චැනල් නළයට ධනාත්මක ද්වාර නියපොතුවක් යෙදිය යුතුය. ශක්තිමත් කරන ලද පරිවරණය කරන ලද ගේට්ටුව MOSFET ඉදිරි ගේට්ටු වෝල්ටීයතාව යෙදිය යුතුය. ක්ෂය වීමේ මාදිලියේ පරිවාරක MOSFET හි ද්වාර වෝල්ටීයතාව ධන, සෘණ හෝ "0" විය හැක. පක්ෂග්‍රාහී එකතු කිරීමේ ක්‍රමවලට ස්ථාවර පක්ෂග්‍රාහී ක්‍රමය, ස්වයං-සැපයූ පක්ෂග්‍රාහී ක්‍රමය, සෘජු සම්බන්ධ කිරීමේ ක්‍රමය යනාදිය ඇතුළත් වේ.

MOSFETDC පරාමිති, AC පරාමිති සහ සීමා පරාමිතීන් ඇතුළු බොහෝ පරාමිති ඇත, නමුත් සාමාන්‍ය භාවිතයේදී, ඔබ පහත සඳහන් ප්‍රධාන පරාමිතීන් වෙත පමණක් අවධානය යොමු කළ යුතුය: සංතෘප්ත කාණු-ප්‍රභව ධාරාව IDSS pinch-off වෝල්ටීයතාව ඉහළ, (හන්දි නල සහ ක්ෂය වීමේ මාදිලිය පරිවරණය කර ඇත. ගේට් ටියුබ්, හෝ සක්‍රිය වෝල්ටීයතා යූටී (ශක්තිමත් කරන ලද පරිවරණය කරන ලද ගේට් නළය), සම්ප්‍රේෂණ gm, කාණු-ප්‍රභව බිඳවැටීමේ වෝල්ටීයතා BUDS, උපරිම බලය විසුරුවා හැරීම PDSM සහ උපරිම කාණු-ප්‍රභව ධාරාව IDSM.

(1) සංතෘප්ත කාණු-මූලාශ්ර ධාරාව

සංතෘප්ත කාණු-මූලාශ්‍ර ධාරාව IDSS යනු හන්දියක ද්වාර වෝල්ටීයතා UGS=0 හෝ පරිවරණය කරන ලද ගේට්ටුව MOSFET ක්ෂය වන විට කාණු-මූලාශ්‍ර ධාරාවයි.

(2) Pinch-off වෝල්ටීයතාවය

Pinch-off වෝල්ටීයතාවය UP යනු හන්දියක හෝ ක්ෂය වීමේ ආකාරයේ පරිවරණය කරන ලද MOSFET ගේට්ටුවක කාණු-මූලාශ්‍ර සම්බන්ධතාවය කපා හරින විට ගේට්ටු වෝල්ටීයතාවයට යොමු වේ. N-channel නලයේ UGS-ID වක්‍රය සඳහා 4-25 හි පෙන්වා ඇති පරිදි, IDSS සහ UP හි අර්ථය පැහැදිලිව දැකගත හැකිය.

(3) හැරවුම් වෝල්ටීයතාවය

හැරවුම් වෝල්ටීයතාවය UT යනු කාණු-මූලාශ්‍ර සම්බන්ධතාවය ශක්තිමත් කරන ලද පරිවරණය කරන ලද MOSFET ගේට්ටුවේ සිදු කරන විට ගේට්ටු වෝල්ටීයතාවයට යොමු කරයි. රූප සටහන 4-27 N-channel නලයේ UGS-ID වක්‍රය පෙන්නුම් කරයි, සහ UT හි අර්ථය පැහැදිලිව දැකගත හැක.

(4) සන්නායකතාව

සම්ප්‍රේෂණ gm මගින් කාණු ධාරා ID පාලනය කිරීමට ද්වාර-මූලාශ්‍ර වෝල්ටීයතා UGS හි හැකියාව නියෝජනය කරයි, එනම්, කාණු ධාරා හැඳුනුම්පතේ වෙනස් වීමේ අනුපාතය ගේට්-ප්‍රභව වෝල්ටීයතා UGS හි වෙනසට. 9m යනු විස්තාරණ හැකියාව මැනීමට වැදගත් පරාමිතියකිMOSFET.

(5) කාණු ප්‍රභව බිඳවැටීමේ වෝල්ටීයතාවය

කාණු-මූලාශ්‍ර බිඳවැටීමේ වෝල්ටීයතාව BUDS යනු ගේට්-මූලාශ්‍ර වෝල්ටීයතා UGS නියත වන විට MOSFET විසින් පිළිගත හැකි උපරිම කාණු-ප්‍රභව වෝල්ටීයතාවය වෙත යොමු වේ. මෙය සීමාකාරී පරාමිතියක් වන අතර, MOSFET වෙත යොදන ලද මෙහෙයුම් වෝල්ටීයතාවය BUDS ට වඩා අඩු විය යුතුය.

(6) උපරිම බලය විසුරුවා හැරීම

උපරිම බලය විසුරුවා හැරීම PDSM ද සීමා පරාමිතියකි, එය MOSFET කාර්ය සාධනය පිරිහීමකින් තොරව අවසර දී ඇති උපරිම කාණු-ප්‍රභව බලය විසුරුවා හැරීමට යොමු කරයි. භාවිතා කරන විට, MOSFET හි සැබෑ බලශක්ති පරිභෝජනය PDSM ට වඩා අඩු විය යුතු අතර යම් ආන්තිකයක් ඉතිරි විය යුතුය.

(7)උපරිම කාණු ප්‍රභව ධාරාව

උපරිම කාණු-මූලාශ්‍ර ධාරාව IDSM යනු තවත් සීමා පරාමිතියකි, එය MOSFET සාමාන්‍යයෙන් ක්‍රියාත්මක වන විට කාණු සහ මූලාශ්‍රය අතර ගමන් කිරීමට අවසර දී ඇති උපරිම ධාරාවයි. MOSFET හි මෙහෙයුම් ධාරාව IDSM නොඉක්මවිය යුතුය.

1. MOSFET විස්තාරණය සඳහා භාවිතා කළ හැක. MOSFET ඇම්ප්ලිෆයර් හි ආදාන සම්බාධනය ඉතා ඉහළ බැවින්, සම්බන්ධක ධාරිත්‍රකය කුඩා විය හැකි අතර විද්‍යුත් විච්ඡේදක ධාරිත්‍රක භාවිතා කිරීමට අවශ්‍ය නොවේ.

2. MOSFET හි ඉහළ ආදාන සම්බාධනය සම්බාධනය පරිවර්තනය සඳහා ඉතා සුදුසුය. බහු-අදියර ඇම්ප්ලිෆයර් වල ආදාන අදියරේදී සම්බාධනය පරිවර්තනය කිරීම සඳහා එය බොහෝ විට භාවිතා වේ.

3. MOSFET විචල්‍ය ප්‍රතිරෝධකයක් ලෙස භාවිතා කළ හැක.

4. MOSFET ස්ථාවර ධාරා ප්‍රභවයක් ලෙස පහසුවෙන් භාවිතා කළ හැක.

5. MOSFET ඉලෙක්ට්‍රොනික ස්විචයක් ලෙස භාවිතා කළ හැක.

 

MOSFET හි අඩු අභ්‍යන්තර ප්‍රතිරෝධය, ඉහළ ඔරොත්තු දෙන වෝල්ටීයතාව, වේගවත් මාරුවීම සහ ඉහළ හිම කුණාටු ශක්තිය යන ලක්ෂණ ඇත. සැලසුම් කරන ලද ධාරා පරාසය 1A-200A වන අතර වෝල්ටීයතා පරාසය 30V-1200V වේ. පාරිභෝගික නිෂ්පාදන විශ්වසනීයත්වය, සමස්ත පරිවර්තන කාර්යක්ෂමතාව සහ නිෂ්පාදන මිල තරඟකාරිත්වය වැඩිදියුණු කිරීම සඳහා පාරිභෝගිකයාගේ යෙදුම් ක්ෂේත්‍ර සහ යෙදුම් සැලසුම් අනුව අපට විදුලි පරාමිතීන් සකස් කළ හැකිය.

 

MOSFET එදිරිව ට්‍රාන්සිස්ටර සංසන්දනය

(1) MOSFET යනු වෝල්ටීයතා පාලන මූලද්‍රව්‍යයක් වන අතර ට්‍රාන්සිස්ටරය යනු ධාරා පාලන මූලද්‍රව්‍යයකි. සංඥා ප්රභවයෙන් කුඩා ධාරාවක් පමණක් ලබා ගැනීමට අවසර දී ඇති විට, MOSFET භාවිතා කළ යුතුය; සංඥා වෝල්ටීයතාව අඩු වන විට සහ සංඥා ප්රභවයෙන් විශාල ධාරාවක් ලබා ගැනීමට ඉඩ දී ඇති විට, ට්රාන්සිස්ටරයක් ​​භාවිතා කළ යුතුය.

(2) MOSFET විදුලිය සන්නයනය කිරීම සඳහා බහුතර වාහක භාවිතා කරයි, එබැවින් එය ඒක ධ්‍රැව උපකරණයක් ලෙස හැඳින්වේ, ට්‍රාන්සිස්ටරවලට විදුලිය සන්නයනය කිරීමට බහුතර වාහක සහ සුළු වාහක යන දෙකම ඇත. එය Bipolar උපාංගයක් ලෙස හැඳින්වේ.

(3) සමහර MOSFET වල මූලාශ්‍රය සහ ජලාපවහනය එකිනෙකට වෙනස් ලෙස භාවිතා කළ හැකි අතර ද්වාර වෝල්ටීයතාව ට්‍රාන්සිස්ටර වලට වඩා නම්‍යශීලී ධන හෝ ඍණ විය හැක.

(4) MOSFET හට ඉතා කුඩා ධාරා සහ ඉතා අඩු වෝල්ටීයතා තත්ත්ව යටතේ ක්‍රියා කළ හැකි අතර, එහි නිෂ්පාදන ක්‍රියාවලියට MOSFET බොහෝමයක් සිලිකන් වේෆරයක් මත පහසුවෙන් ඒකාබද්ධ කළ හැක. එබැවින්, MOSFET විශාල පරිමාණයේ ඒකාබද්ධ පරිපථවල බහුලව භාවිතා වී ඇත.

 

MOSFET හි ගුණාත්මකභාවය සහ ධ්‍රැවීයතාව විනිශ්චය කරන්නේ කෙසේද?

බහුමාපකයේ පරාසය RX1K දක්වා තෝරන්න, කළු පරීක්ෂණ ඊයම් D ධ්‍රැවයට සම්බන්ධ කරන්න, සහ රතු පරීක්ෂණ නායකත්වය S ධ්‍රැවයට සම්බන්ධ කරන්න. ඔබගේ අතින් G සහ D පොලු එකවර ස්පර්ශ කරන්න. MOSFET ක්ෂණික සන්නායක තත්වයක තිබිය යුතුය, එනම් මීටර් ඉඳිකටුවක් කුඩා ප්‍රතිරෝධයක් සහිත ස්ථානයකට පැද්දේ. , ඉන්පසු ඔබේ දෑතින් G සහ S ධ්‍රැව ස්පර්ශ කරන්න, MOSFET ට ප්‍රතිචාරයක් නොතිබිය යුතුය, එනම් මීටර් ඉඳිකටුව නැවත ශුන්‍ය ස්ථානයට නොයනු ඇත. මෙම අවස්ථාවේදී, MOSFET හොඳ නලයක් බව විනිශ්චය කළ යුතුය.

RX1K දක්වා බහුමාපකයේ පරාසය තෝරන්න, සහ MOSFET හි කටු තුන අතර ප්‍රතිරෝධය මැනිය. එක් පින් එකක් සහ අනෙක් අල්ෙපෙනති දෙක අතර ප්‍රතිරෝධය අනන්ත නම් සහ පරීක්ෂණ තුඩු හුවමාරු කිරීමෙන් පසුව එය තවමත් අනන්ත නම්, මෙම පින් එක G ධ්‍රැවය වන අතර අනෙක් පින් දෙක S පොල්ල සහ D ධ්‍රැවය වේ. ඉන්පසුව S ධ්‍රැවය සහ D ධ්‍රැවය අතර ප්‍රතිරෝධක අගය එක් වරක් මැනීමට බහුමාපකයක් භාවිතා කරන්න, පරීක්ෂණ තුඩු හුවමාරු කර නැවත මැන බලන්න. කුඩා ප්‍රතිරෝධක අගය සහිත එක කළු ය. පරීක්ෂණ ඊයම් S ධ්‍රැවයට සම්බන්ධ කර ඇති අතර රතු පරීක්ෂණ ඊයම් D ධ්‍රැවයට සම්බන්ධ වේ.

 

MOSFET හඳුනාගැනීම සහ භාවිත පූර්වාරක්ෂාවන්

1. MOSFET හඳුනා ගැනීමට පොයින්ටර් බහුමාපකයක් භාවිතා කරන්න

1) MOSFET හන්දියේ ඉලෙක්ට්‍රෝඩ හඳුනා ගැනීමට ප්‍රතිරෝධය මැනීමේ ක්‍රමය භාවිතා කරන්න

MOSFET හි PN හන්දියේ ඉදිරි සහ ප්‍රතිරෝධක ප්‍රතිරෝධ අගයන් වෙනස් වන සංසිද්ධිය අනුව, MOSFET හන්දියේ ඉලෙක්ට්‍රෝඩ තුන හඳුනාගත හැකිය. විශේෂිත ක්‍රමය: බහුමාපකය R×1k පරාසයට සකසන්න, ඕනෑම ඉලෙක්ට්‍රෝඩ දෙකක් තෝරන්න, සහ පිළිවෙලින් ඒවායේ ඉදිරි සහ ප්‍රතිරෝධ ප්‍රතිරෝධ අගයන් මැන බලන්න. ඉලෙක්ට්‍රෝඩ දෙකක ඉදිරි සහ ප්‍රතිරෝධ ප්‍රතිරෝධ අගයන් සමාන වන අතර ඕම් දහස් ගණනක් වූ විට ඉලෙක්ට්‍රෝඩ දෙක පිළිවෙලින් කාණු D සහ මූලාශ්‍ර S වේ. හන්දි MOSFET සඳහා, කාණු සහ ප්‍රභවය එකිනෙකට හුවමාරු කළ හැකි බැවින්, ඉතිරි ඉලෙක්ට්‍රෝඩය Gate Gate විය යුතුය. ඔබට ඕනෑම ඉලෙක්ට්‍රෝඩයකට බහුමාපකයේ කළු පරීක්ෂණ ඊයම් (රතු පරීක්ෂණ ඊයම් ද පිළිගත හැකිය) ස්පර්ශ කළ හැකි අතර අනෙක් පරීක්ෂණ නායකත්වය ප්රතිරෝධක අගය මැනීම සඳහා අනුපිළිවෙලින් ඉතිරි ඉලෙක්ට්රෝඩ දෙක ස්පර්ශ කරන්න. දෙවරක් මනිනු ලබන ප්රතිරෝධක අගයන් ආසන්න වශයෙන් සමාන වන විට, කළු පරීක්ෂණ ඊයම් සමඟ ස්පර්ශ වන ඉලෙක්ට්රෝඩය ද්වාරය වන අතර අනෙක් ඉලෙක්ට්රෝඩ දෙක පිළිවෙලින් කාණු සහ මූලාශ්රය වේ. දෙවරක් මනිනු ලබන ප්‍රතිරෝධ අගයන් දෙකම ඉතා විශාල නම්, එයින් අදහස් වන්නේ එය PN හන්දියේ ප්‍රතිලෝම දිශාව වන බවයි, එනම් ඒවා දෙකම ප්‍රතිලෝම ප්‍රතිරෝධයන් වේ. එය N-නාලිකාව MOSFET බව තීරණය කළ හැකි අතර, කළු ටෙස්ට් ඊයම් දොරටුවට සම්බන්ධ වේ; ප්‍රතිරෝධක අගයන් දෙවරක් මනිනු ලැබුවහොත්, ප්‍රතිරෝධ අගයන් ඉතා කුඩා වන අතර, එය ඉදිරි PN හන්දියක්, එනම් ඉදිරි ප්‍රතිරෝධයක් වන අතර, එය P-channel MOSFET ලෙස තීරණය වේ. කළු ටෙස්ට් ඊයම් ද ගේට්ටුවට සම්බන්ධ වේ. ඉහත තත්ත්වය සිදු නොවන්නේ නම්, ඔබට කළු සහ රතු පරීක්ෂණ තුඩු ආදේශ කර ජාලකය හඳුනා ගන්නා තෙක් ඉහත ක්‍රමයට අනුව පරීක්ෂණය පැවැත්විය හැකිය.

 

2) MOSFET හි ගුණාත්මකභාවය තීරණය කිරීම සඳහා ප්රතිරෝධක මිනුම් ක්රමය භාවිතා කරන්න

ප්‍රතිරෝධය මැනීමේ ක්‍රමය වන්නේ MOSFET අත්පොතෙහි දක්වා ඇති ප්‍රතිරෝධක අගයට ගැලපෙනවාද යන්න තීරණය කිරීම සඳහා MOSFET හි මූලාශ්‍රය සහ කාණු, ගේට්ටුව සහ මූලාශ්‍රය, ගේට්ටුව සහ කාණු, gate G1 සහ gate G2 අතර ප්‍රතිරෝධය මැනීම සඳහා බහුමාපකයක් භාවිතා කිරීමයි. කළමනාකරණය හොඳ හෝ නරක ය. විශේෂිත ක්‍රමය: පළමුව, බහුමාපකය R×10 හෝ R×100 පරාසයට සකසන්න, සහ ප්‍රභව S සහ කාණු D අතර ප්‍රතිරෝධය මැනිය, සාමාන්‍යයෙන් ඕම් දස සිට ඕම් දහස් ගණනක පරාසයක (එය දැකිය හැක විවිධ මාදිලියේ නල, ඒවායේ ප්‍රතිරෝධක අගයන් වෙනස් බව අත්පොත), මනින ලද ප්‍රතිරෝධක අගය සාමාන්‍ය අගයට වඩා වැඩි නම්, එය දුර්වල අභ්‍යන්තර සම්බන්ධතා නිසා විය හැක; මනින ලද ප්රතිරෝධක අගය අසීමිත නම්, එය අභ්යන්තර කැඩුණු ධ්රැවයක් විය හැකිය. ඉන්පසු බහුමාපකය R×10k පරාසයට සකසන්න, ඉන්පසු G1 සහ G2 ද්වාර අතර, ගේට්ටුව සහ මූලාශ්‍රය අතර සහ ගේට්ටුව සහ කාණු අතර ප්‍රතිරෝධ අගයන් මැන බලන්න. මනින ලද ප්‍රතිරෝධ අගයන් සියල්ල අනන්ත වූ විට, ඉන් අදහස් වන්නේ නළය සාමාන්‍ය බවයි; ඉහත ප්‍රතිරෝධ අගයන් ඉතා කුඩා නම් හෝ මාර්ගයක් තිබේ නම්, එයින් අදහස් වන්නේ නළය නරක බවයි. නලයේ දොරටු දෙක කැඩී ඇත්නම්, හඳුනාගැනීම සඳහා සංරචක ආදේශන ක්රමය භාවිතා කළ හැකි බව සැලකිල්ලට ගත යුතුය.

 

3) MOSFET හි විස්තාරණ හැකියාව තක්සේරු කිරීමට induction signal input method භාවිතා කරන්න

විශේෂිත ක්‍රමය: බහුමාපක ප්‍රතිරෝධයේ R×100 මට්ටම භාවිතා කරන්න, රතු පරීක්ෂණ ඊයම් මූලාශ්‍රය S වෙත සම්බන්ධ කරන්න, සහ කළු පරීක්ෂණ තුඩුව D කාණුවට සම්බන්ධ කරන්න. MOSFET වෙත 1.5V බල සැපයුම් වෝල්ටීයතාවයක් එක් කරන්න. මෙම අවස්ථාවේදී, කාණු සහ මූලාශ්රය අතර ප්රතිරෝධක අගය මීටර් ඉඳිකටුවක් මගින් පෙන්නුම් කෙරේ. ඉන්පසු MOSFET හන්දියේ G ගේට්ටුව ඔබේ අතින් ඇණ ගසා, මිනිස් සිරුරේ ප්‍රේරිත වෝල්ටීයතා සංඥාව ගේට්ටුවට එක් කරන්න. මේ ආකාරයෙන්, නලයේ විස්තාරණ බලපෑම හේතුවෙන්, කාණු-ප්රභව වෝල්ටීයතා VDS සහ කාණු ධාරාව Ib වෙනස් වේ, එනම්, කාණු සහ මූලාශ්රය අතර ප්රතිරෝධය වෙනස් වේ. මෙයින් මීටර් ඉඳිකටුව විශාල වශයෙන් පැද්දෙන බව නිරීක්ෂණය කළ හැක. අතින් ගෙන යා හැකි ජාලක ඉඳිකටුවක ඉඳිකටුවක් සුළු වශයෙන් පැද්දෙන්නේ නම්, එයින් අදහස් වන්නේ නළයේ විස්තාරණ හැකියාව දුර්වල බවයි; ඉඳිකටුවක් විශාල ලෙස පැද්දෙන්නේ නම්, එයින් අදහස් වන්නේ නළයේ විස්තාරණ හැකියාව විශාල බවයි; ඉඳිකටුවක් චලනය නොවන්නේ නම්, එයින් අදහස් වන්නේ නළය නරක බවයි.

 

ඉහත ක්‍රමයට අනුව, MOSFET 3DJ2F හන්දිය මැනීමට අපි බහුමාපකයේ R×100 පරිමාණය භාවිතා කරමු. මුලින්ම නලයේ G ඉලෙක්ට්‍රෝඩය විවෘත කර කාණු ප්‍රභව ප්‍රතිරෝධය RDS 600Ω ලෙස මැන බලන්න. ජී ඉලෙක්ට්‍රෝඩය අතින් ඇල්ලීමෙන් පසු මීටර් ඉඳිකටුව වමට පැද්දෙයි. දක්වා ඇති ප්රතිරෝධය RDS 12kΩ වේ. මීටර් ඉඳිකටුවක් විශාල ලෙස පැද්දෙනවා නම්, එයින් අදහස් වන්නේ නළය හොඳයි. , සහ වැඩි විස්තාරණ හැකියාව ඇත.

 

මෙම ක්‍රමය භාවිතා කිරීමේදී සටහන් කළ යුතු කරුණු කිහිපයක් තිබේ: පළමුව, MOSFET පරීක්ෂා කිරීමේදී සහ ඔබේ අතින් ගේට්ටුව අල්ලාගෙන සිටින විට, බහුමාපක ඉඳිකටුව දකුණට (ප්‍රතිරෝධක අගය අඩු වේ) හෝ වමට (ප්‍රතිරෝධක අගය වැඩි වේ) . මෙයට හේතුව මිනිස් සිරුර විසින් ප්‍රේරණය කරන ලද AC වෝල්ටීයතාව සාපේක්ෂ වශයෙන් ඉහළ මට්ටමක පැවතීම සහ ප්‍රතිරෝධක පරාසයකින් (සංතෘප්ත කලාපයේ හෝ අසංතෘප්ත කලාපයේ ක්‍රියාත්මක වන) මනින විට විවිධ MOSFET වලට විවිධ ක්‍රියාකාරී ස්ථාන තිබිය හැක. බොහෝ නල වල RDS වැඩි වන බව පරීක්ෂණ මගින් පෙන්වා දී ඇත. එනම්, ඔරලෝසු අත වමට පැද්දෙයි; නල කිහිපයක RDS අඩු වන අතර, ඔරලෝසු අත දකුණට පැද්දීමට හේතු වේ.

නමුත් ඔරලෝසුව අත පැද්දෙන දිශාව කුමක් වුවත්, ඔරලෝසුව අත විශාල වන තාක්, එයින් අදහස් වන්නේ නළයට වැඩි විස්තාරණ හැකියාවක් ඇති බවයි. දෙවනුව, මෙම ක්රමය MOSFET සඳහාද ක්රියා කරයි. නමුත් MOSFET හි ආදාන ප්‍රතිරෝධය ඉහළ බවත්, G ගේට්ටුවේ අවසර ලත් වෝල්ටීයතාවය වැඩි නොවිය යුතු බවත් සැලකිල්ලට ගත යුතුය, එබැවින් ඔබේ දෑතින් කෙලින්ම ගේට්ටුව ඇණ නොගන්න. ලෝහ පොල්ලකින් ගේට්ටුව ස්පර්ශ කිරීමට ඔබ ඉස්කුරුප්පු නියනෙහි පරිවරණය කළ හසුරුව භාවිතා කළ යුතුය. , මිනිස් සිරුර විසින් ප්‍රේරණය කරන ලද ආරෝපණය ගේට්ටුවට කෙලින්ම එකතු වීම වැළැක්වීමට, ගේට්ටු බිඳවැටීමට හේතු වේ. තෙවනුව, එක් එක් මිනුමකින් පසුව, GS පොලු කෙටි පරිපථයක් විය යුතුය. මක්නිසාද යත්, VGS වෝල්ටීයතාව ගොඩනඟන GS සන්ධි ධාරිත්‍රකය මත කුඩා ආරෝපණයක් පවතිනු ඇත. එහි ප්රතිඵලයක් වශයෙන්, නැවත මැනීමේදී මීටරයේ අත් චලනය නොවිය හැක. ආරෝපණය මුදා හැරීමට ඇති එකම මාර්ගය වන්නේ GS ඉලෙක්ට්රෝඩ අතර ආරෝපණය කෙටි පරිපථයකි.

4) සලකුණු නොකළ MOSFET හඳුනා ගැනීමට ප්‍රතිරෝධය මැනීමේ ක්‍රමය භාවිතා කරන්න

පළමුව, ප්‍රතිරෝධක අගයන් සහිත අල්ෙපෙනති දෙකක් සොයා ගැනීමට ප්‍රතිරෝධය මැනීමේ ක්‍රමය භාවිතා කරන්න, එනම් මූලාශ්‍ර S සහ කාණු D. ඉතිරි පින් දෙක පළමු ගේට්ටුව G1 සහ දෙවන ගේට්ටුව G2 වේ. ප්‍රභව S සහ කාණු D අතර ප්‍රතිරෝධක අගය පළමුව පරීක්ෂණ ඊයම් දෙකකින් මනිනු ලැබේ. පරීක්ෂණ තුඩු මාරු කර නැවත මැන බලන්න. මනින ලද ප්රතිරෝධක අගය ලියන්න. විශාල ප්‍රතිරෝධක අගය දෙවරක් මනිනු ලබන්නේ කළු පරීක්ෂණ ඊයම් වේ. සම්බන්ධිත ඉලෙක්ට්රෝඩය කාණු D; රතු පරීක්ෂණ ඊයම් S මූලාශ්‍රයට සම්බන්ධ කර ඇත. මෙම ක්‍රමය මගින් හඳුනාගත් S සහ D ධ්‍රැව නලයේ විස්තාරණ හැකියාව ඇස්තමේන්තු කිරීමෙන්ද සත්‍යාපනය කළ හැක. එනම්, විශාල විස්තාරණ හැකියාව සහිත කළු පරීක්ෂණ ඊයම් D ධ්රැවයට සම්බන්ධ කර ඇත; රතු පරීක්ෂණ ඊයම් 8 ධ්රැවයට බිමට සම්බන්ධ වේ. ක්රම දෙකෙහිම පරීක්ෂණ ප්රතිඵල සමාන විය යුතුය. D සහ S ප්‍රභව වල පිහිටීම් තීරණය කිරීමෙන් පසු D සහ S හි අනුරූප ස්ථාන අනුව පරිපථය ස්ථාපනය කරන්න. සාමාන්‍යයෙන් G1 සහ G2 අනුපිළිවෙලින් පෙළගැසෙනු ඇත. මෙය G1 සහ G2 යන ද්වාර දෙකෙහි පිහිටීම් තීරණය කරයි. මෙය D, S, G1 සහ G2 පින්වල අනුපිළිවෙල තීරණය කරයි.

5) සම්ප්‍රේෂණ ප්‍රමාණය තීරණය කිරීම සඳහා ප්‍රතිරෝධක අගය වෙනස් කිරීම භාවිතා කරන්න

VMOSN නාලිකා වැඩිදියුණු කිරීමේ MOSFET හි සම්ප්‍රේෂණ කාර්ය සාධනය මනින විට, මූලාශ්‍ර S හා කළු පරීක්ෂණ ඊයම් කාණු D වෙත සම්බන්ධ කිරීමට රතු පරීක්ෂණ ඊයම් භාවිතා කළ හැකිය. මෙය ප්‍රභවය සහ කාණු අතර ප්‍රතිලෝම වෝල්ටීයතාවයක් එක් කිරීමට සමාන වේ. මෙම අවස්ථාවේදී, ගේට්ටුව විවෘත පරිපථයකි, සහ නලයේ ප්රතිවිරෝධතා අගය ඉතා අස්ථායී වේ. R×10kΩ හි ඉහළ ප්‍රතිරෝධක පරාසයට බහුමාපකයේ ඕම් පරාසය තෝරන්න. මෙම අවස්ථාවේදී, මීටරයේ වෝල්ටීයතාවය වැඩි වේ. ඔබ ඔබේ අතින් Grid G ​​ස්පර්ශ කරන විට, නලයේ ප්‍රතිරෝධක අගය සැලකිය යුතු ලෙස වෙනස් වන බව ඔබට පෙනී යනු ඇත. වෙනස වැඩි වන තරමට නලයේ සම්ප්‍රේෂණ අගය වැඩි වේ; පරීක්ෂණයට ලක්වන නලයේ සම්ප්‍රේෂණය ඉතා කුඩා නම්, ප්‍රතිලෝම ප්‍රතිරෝධය සුළු වශයෙන් වෙනස් වන විට මැනීමට මෙම ක්‍රමය භාවිතා කරන්න.

 

MOSFET භාවිතා කිරීම සඳහා පූර්වාරක්ෂාව

1) MOSFET ආරක්ෂිතව භාවිතා කිරීම සඳහා, නලයේ විසුරුවා හරින ලද බලය, උපරිම කාණු-මූලාශ්‍ර වෝල්ටීයතාවය, උපරිම ද්වාර-මූලාශ්‍ර වෝල්ටීයතාවය සහ උපරිම ධාරාව වැනි පරාමිතීන්ගේ සීමිත අගයන් පරිපථ සැලසුමේදී ඉක්මවිය නොහැක.

2) විවිධ වර්ගයේ MOSFET භාවිතා කරන විට, ඒවා අවශ්ය නැඹුරුතාවයට අනුකූලව පරිපථයට සම්බන්ධ කළ යුතු අතර, MOSFET පක්ෂග්රාහී ධ්රැවීයතාව නිරීක්ෂණය කළ යුතුය. උදාහරණයක් ලෙස, MOSFET හන්දියක ද්වාර ප්‍රභවය සහ කාණු අතර PN හන්දියක් ඇති අතර N-නාලිකාවක ගේට්ටුව ධනාත්මකව පක්ෂග්‍රාහී විය නොහැක; P-channel නලයක ද්වාරය සෘණාත්මකව පක්ෂග්‍රාහී විය නොහැක.

3) MOSFET හි ආදාන සම්බාධනය අතිශයින් ඉහළ බැවින්, ප්‍රවාහනයේදී සහ ගබඩා කිරීමේදී අල්ෙපෙනති කෙටි පරිපථයක් විය යුතු අතර, ගේට්ටුව බිඳවැටීමෙන් බාහිර ප්‍රේරිත විභවයන් වැළැක්වීම සඳහා ලෝහ ආවරණ සහිතව ඇසුරුම් කළ යුතුය. විශේෂයෙන්ම, MOSFET ප්ලාස්ටික් පෙට්ටියක තැබිය නොහැකි බව කරුණාවෙන් සලකන්න. එය ලෝහ පෙට්ටියක ගබඩා කිරීම වඩාත් සුදුසුය. ඒ අතරම, නළය තෙතමනය-ප්‍රතිරෝධීව තබා ගැනීමට අවධානය යොමු කරන්න.

4) MOSFET ද්වාර ප්‍රේරක බිඳවැටීම වැළැක්වීම සඳහා, සියලුම පරීක්ෂණ උපකරණ, වැඩ බංකු, පෑස්සුම් යකඩ සහ පරිපථ හොඳින් පදනම් විය යුතුය; අල්ෙපෙනති පෑස්සුම් කරන විට, මුලින්ම මූලාශ්රය පාස්සන්න; පරිපථයට සම්බන්ධ වීමට පෙර, නළය සියලුම ඊයම් කෙළවර එකිනෙකට කෙටි පරිපථයක් විය යුතු අතර, වෑල්ඩින් අවසන් වූ පසු කෙටි පරිපථ ද්රව්ය ඉවත් කළ යුතුය; සංරචක රාක්කයෙන් නළය ඉවත් කරන විට, භූගත වළල්ලක් භාවිතා කිරීම වැනි මිනිස් සිරුර පදනම් වී ඇති බව සහතික කිරීම සඳහා සුදුසු ක්රම භාවිතා කළ යුතුය; ඇත්ත වශයෙන්ම, උසස් නම් වායු රත් කරන ලද පෑස්සුම් යකඩ MOSFET වෑල්ඩින් කිරීම සඳහා වඩාත් පහසු වන අතර ආරක්ෂාව සහතික කරයි; විදුලිය විසන්ධි කිරීමට පෙර නළය පරිපථයට ඇතුළු කිරීම හෝ ඉන් පිටතට ඇද දැමීම නොකළ යුතුය. MOSFET භාවිතා කරන විට ඉහත ආරක්ෂක පියවරයන් කෙරෙහි අවධානය යොමු කළ යුතුය.

5) MOSFET ස්ථාපනය කරන විට, ස්ථාපන ස්ථානයට අවධානය යොමු කර තාපන මූලද්රව්යයට සමීප වීම වැළැක්වීමට උත්සාහ කරන්න; නල සවිකිරීම්වල කම්පනය වැළැක්වීම සඳහා, නල කවචය තද කිරීම අවශ්ය වේ; අල්ෙපෙනති ඊයම් නැමුණු විට, අල්ෙපෙනති නැමීම සහ වාතය කාන්දු වීම වැළැක්වීම සහතික කිරීම සඳහා මූල ප්‍රමාණයට වඩා 5 mm විශාල විය යුතුය.

බලශක්ති MOSFET සඳහා, හොඳ තාප විසර්ජන තත්ත්වයන් අවශ්ය වේ. බලය MOSFETs අධික බර තත්ව යටතේ භාවිතා වන නිසා, උපාංගය දිගු කාලයක් ස්ථාවරව සහ විශ්වාසනීයව වැඩ කිරීමට හැකි වන පරිදි, නඩුවේ උෂ්ණත්වය ශ්රේණිගත අගය ඉක්මවා නොයන බව සහතික කිරීම සඳහා ප්රමාණවත් තාප සින්ක් නිර්මාණය කළ යුතුය.

කෙටියෙන් කිවහොත්, MOSFET හි ආරක්ෂිත භාවිතය සහතික කිරීම සඳහා, අවධානය යොමු කළ යුතු බොහෝ දේ ඇත, එසේම විවිධ ආරක්ෂණ පියවරයන් ද ඇත. බහුතර වෘත්තීය සහ තාක්‍ෂණික පිරිස්, විශේෂයෙන්ම ඉලෙක්ට්‍රොනික උද්යෝගිමත් බහුතරයක්, ඔවුන්ගේ සැබෑ තත්ත්වය මත පදනම්ව ඉදිරියට යා යුතු අතර MOSFET ආරක්ෂිතව සහ ඵලදායී ලෙස භාවිත කිරීමට ප්‍රායෝගික ක්‍රම අනුගමනය කළ යුතුය.