MOSFET වල භාවිතයන් මොනවාද?

MOSFETsබහුලව භාවිතා වේ. දැන් සමහර මහා පරිමාණ ඒකාබද්ධ පරිපථ MOSFET භාවිතා කරයි, මූලික කාර්යය සහ BJT ට්‍රාන්සිස්ටරය, මාරු කිරීම සහ විස්තාරණය කිරීම වේ. මූලික වශයෙන් BJT ට්‍රයිඩෝ භාවිතා කළ හැකි ස්ථාන භාවිතා කළ හැකි අතර සමහර ස්ථානවල කාර්ය සාධනය ත්‍රිකෝණයට වඩා හොඳය.

 

MOSFET විස්තාරණය කිරීම

MOSFET සහ BJT ත්‍රියෝඩය, අර්ධ සන්නායක ඇම්ප්ලිෆයර් උපාංගය යන දෙකම වුවද, නමුත් ට්‍රයෝඩයට වඩා වැඩි වාසි, ඉහළ ආදාන ප්‍රතිරෝධය වැනි, සංඥා ප්‍රභවය පාහේ ධාරාවක් නොමැති අතර, එය ආදාන සංඥාවේ ස්ථායීතාවයට හිතකර වේ. එය ආදාන අදියර ඇම්ප්ලිෆයර් ලෙස කදිම උපාංගයක් වන අතර, අඩු ශබ්දය සහ හොඳ උෂ්ණත්ව ස්ථායීතාවයේ වාසි ද ඇත. එය බොහෝ විට ශ්‍රව්‍ය වර්ධක පරිපථ සඳහා පූර්ව වර්ධකයක් ලෙස භාවිතා කරයි. කෙසේ වෙතත්, එය වෝල්ටීයතා පාලිත ධාරා උපාංගයක් වන බැවින්, කාණු ධාරාව පාලනය වන්නේ ද්වාර ප්‍රභවය අතර වෝල්ටීයතාවය මගිනි, අඩු සංඛ්‍යාත සම්ප්‍රේෂණයේ විස්තාරණ සංගුණකය සාමාන්‍යයෙන් විශාල නොවේ, එබැවින් විස්තාරණ හැකියාව දුර්වල වේ.

 

MOSFET හි මාරුවීමේ බලපෑම

MOSFET ඉලෙක්ට්‍රොනික ස්විචයක් ලෙස භාවිතා කරයි, පොලියෝන සන්නායකතාවය මත පමණක් රඳා පවතින නිසා, පාදක ධාරාව සහ ආරෝපණ ගබඩා ආචරණය හේතුවෙන් BJT ට්‍රයිඩෝ වැනි කිසිවක් නොමැත, එබැවින් MOSFET මාරු කිරීමේ වේගය ට්‍රයෝඩයට වඩා වේගවත් වේ, මාරු කිරීමේ නලයක් ලෙස කාර්යයේ අධි-සංඛ්‍යාත අධි-ධාරා තත්වයේදී MOSFET හි භාවිතා කරන බල සැපයුම් මාරු කිරීම වැනි අධි-සංඛ්‍යාත අධි-ධාරා අවස්ථා සඳහා බොහෝ විට භාවිතා වේ. BJT ට්‍රයිඩෝ ස්විචයන් සමඟ සසඳන විට, MOSFET ස්විචයන් කුඩා වෝල්ටීයතා සහ ධාරා වල ක්‍රියා කළ හැකි අතර, සිලිකන් වේෆර් මත ඒකාබද්ධ කිරීමට පහසු වේ, එබැවින් ඒවා විශාල පරිමාණයේ ඒකාබද්ධ පරිපථවල බහුලව භාවිතා වේ.

භාවිතා කරන විට පූර්වාරක්ෂාව මොනවාදMOSFETs?

MOSFET ත්‍රියෝඩ වලට වඩා සියුම් වන අතර අනිසි භාවිතය නිසා පහසුවෙන් හානි විය හැකි බැවින් ඒවා භාවිතා කිරීමේදී විශේෂ සැලකිල්ලක් දැක්විය යුතුය.

(1) විවිධ භාවිත අවස්ථා සඳහා සුදුසු MOSFET වර්ගය තෝරා ගැනීම අවශ්‍ය වේ.

(2) MOSFETs, විශේෂයෙන්ම පරිවරණය කරන ලද-ගේට් MOSFETs, ඉහළ ආදාන සම්බාධනයක් ඇති අතර, ගේට්ටු ප්‍රේරක ආරෝපණය හේතුවෙන් නලයට සිදුවන හානිය වළක්වා ගැනීම සඳහා භාවිතයේ නොමැති විට එක් එක් ඉලෙක්ට්‍රෝඩයට කෙටි කළ යුතුය.

(3) හන්දි MOSFET වල ද්වාර ප්‍රභව වෝල්ටීයතාවය ආපසු හැරවිය නොහැක, නමුත් විවෘත පරිපථ තත්වයේ සුරැකිය හැක.

(4) MOSFET හි ඉහළ ආදාන සම්බාධනය පවත්වා ගැනීම සඳහා, නළය තෙතමනයෙන් ආරක්ෂා කර භාවිතා කරන පරිසරයේ වියළිව තබා ගත යුතුය.

(5) MOSFET සමඟ ස්පර්ශ වන ආරෝපිත වස්තූන් (පෑස්සුම් යකඩ, පරීක්ෂණ උපකරණ, ආදිය) නලයට හානි වීම වළක්වා ගැනීම සඳහා භූගත කළ යුතුය. විශේෂයෙන්ම පරිවරණය කරන ලද ගේට්ටුව MOSFET වෑල්ඩින් කරන විට, මූලාශ්රය අනුව - වෑල්ඩින්ගේ ගේට්ටුව අනුක්රමික අනුපිළිවෙල අනුව, බලය අක්රිය කිරීමෙන් පසු වෑල්ඩින් කිරීම වඩාත් සුදුසුය. පෑස්සුම් යකඩ බලය 15 ~ 30W දක්වා සුදුසු වේ, වෙල්ඩින් කාලය තත්පර 10 නොඉක්මවිය යුතුය.

(6) පරිවාරක ද්වාරය MOSFET බහුමාපකය සමඟ පරීක්ෂා කළ නොහැක, පරීක්ෂකයෙකු සමඟ පමණක් පරීක්ෂා කළ හැකි අතර, ඉලෙක්ට්රෝඩවල කෙටි පරිපථ රැහැන් ඉවත් කිරීම සඳහා පරීක්ෂක වෙත ප්රවේශ වීමෙන් පසුව පමණි. ඉවත් කරන විට, ගේට්ටුව උඩින් එල්ලීම වළක්වා ගැනීම සඳහා ඉවත් කිරීමට පෙර ඉලෙක්ට්රෝඩ කෙටි පරිපථයක් කිරීම අවශ්ය වේ.

(7) භාවිතා කරන විටMOSFETsඋපස්ථර ඊයම් සමඟ, උපස්ථර ඊයම් නිවැරදිව සම්බන්ධ කළ යුතුය.