PMOSFET, ධනාත්මක නාලිකා ලෝහ ඔක්සයිඩ් අර්ධ සන්නායක ලෙස හැඳින්වේ, එය විශේෂ MOSFET වර්ගයකි. පහත දැක්වෙන්නේ PMOSFETs පිළිබඳ සවිස්තරාත්මක පැහැදිලි කිරීමකි.
I. මූලික ව්යුහය සහ වැඩ කිරීමේ මූලධර්මය
1. මූලික ව්යුහය
PMOSFET වලට n-වර්ගයේ උපස්ථර සහ p-නාලිකා ඇති අතර, ඒවායේ ව්යුහය ප්‍රධාන වශයෙන් ගේට්ටුවකින් (G), ප්‍රභවයකින් (S) සහ කාණුවකින් (D) සමන්විත වේ. n-වර්ගයේ සිලිකන් උපස්ථරය මත, පිළිවෙලින් ප්රභවය සහ කාණු ලෙස සේවය කරන P+ කලාප දෙකක් ඇති අතර ඒවා p-නාලිකාව හරහා එකිනෙකට සම්බන්ධ වේ. ගේට්ටුව නාලිකාවට ඉහළින් පිහිටා ඇති අතර ලෝහ ඔක්සයිඩ් පරිවාරක තට්ටුවක් මගින් නාලිකාවෙන් හුදකලා වේ.
2. මෙහෙයුම් මූලධර්ම
PMOSFETs NMOSFET වලට සමානව ක්‍රියා කරයි, නමුත් ප්‍රතිවිරුද්ධ ආකාරයේ වාහකයන් සමඟ. PMOSFET එකක ප්‍රධාන වාහකයන් වන්නේ සිදුරු වේ. මූලාශ්රය සම්බන්ධයෙන් ගේට්ටුවට සෘණ වෝල්ටීයතාවයක් යොදන විට, ප්රභවය සහ කාණු සම්බන්ධ කරන අගලක් ලෙස සේවය කරන ගේට්ටුව යටතේ n-වර්ගයේ සිලිකන් මතුපිට p-වර්ගයේ ප්රතිලෝම ස්ථරයක් සාදනු ලැබේ. ගේට්ටු වෝල්ටීයතාව වෙනස් කිරීම නාලිකාවේ සිදුරු වල ඝනත්වය වෙනස් කරයි, එමගින් නාලිකාවේ සන්නායකතාවය පාලනය කරයි. ගේට්ටු වෝල්ටීයතාව ප්‍රමාණවත් තරම් අඩු වූ විට, නාලිකාවේ සිදුරුවල ඝනත්වය ප්රභවය සහ කාණු අතර සන්නයනය වීමට ප්‍රමාණවත් තරම් ඉහළ මට්ටමකට ළඟා වේ; අනෙක් අතට, නාලිකාව කපා හැරේ.
II. ලක්ෂණ සහ යෙදුම්
1. ලක්ෂණ
අඩු සංචලනය: P-channel MOS ට්‍රාන්සිස්ටර වල සිදුරු සංචලනය සාපේක්ෂව අඩු බැවින් PMOS ට්‍රාන්සිස්ටර වල සම්ප්‍රේෂණය NMOS ට්‍රාන්සිස්ටර වලට වඩා කුඩා වේ.
අඩු-වේග, අඩු-සංඛ්‍යාත යෙදුම් සඳහා සුදුසු ය: අඩු සංචලනය හේතුවෙන් PMOS සංයුක්ත පරිපථ අඩු-වේග, අඩු-සංඛ්‍යාත ප්‍රදේශවල යෙදීම් සඳහා වඩාත් සුදුසු වේ.
සන්නායක කොන්දේසි: PMOSFET වල සන්නායක කොන්දේසි NMOSFET වලට ප්‍රතිවිරුද්ධ වන අතර, ප්‍රභව වෝල්ටීයතාවයට වඩා අඩු ද්වාර වෝල්ටීයතාවයක් අවශ්‍ය වේ.
- යෙදුම්
ඉහළ පැති මාරු කිරීම: ප්රභවය ධනාත්මක සැපයුමට සම්බන්ධ වන අතර කාණු බරෙහි ධනාත්මක කෙළවරට සම්බන්ධ වන ඉහළ පැති මාරු කිරීමේ වින්‍යාසයන්හි සාමාන්‍යයෙන් PMOSFET භාවිතා වේ. PMOSFET සන්නයනය කරන විට, එය භාරයේ ධනාත්මක අවසානය ධන සැපයුමට සම්බන්ධ කරයි, බර හරහා ධාරාව ගලා යාමට ඉඩ සලසයි. මෙම වින්‍යාසය බල කළමනාකරණය සහ මෝටර් ඩ්‍රයිව් වැනි ක්ෂේත්‍රවල බහුලව දක්නට ලැබේ.
ප්රතිලෝම ආරක්ෂණ පරිපථ: ප්රතිලෝම බල සැපයුම හෝ පැටවීමේ ධාරා ප්‍රවාහය හේතුවෙන් පරිපථයට සිදුවන හානිය වැළැක්වීම සඳහා ප්රතිලෝම ආරක්ෂණ පරිපථවලද PMOSFET භාවිතා කළ හැක.
III. සැලසුම් සහ සලකා බැලීම්
1. ගේට් වෝල්ටීයතා පාලනය
PMOSFET පරිපථ සැලසුම් කිරීමේදී, නිසි ක්‍රියාකාරිත්වය සහතික කිරීම සඳහා ගේට්ටු වෝල්ටීයතාවයේ නිශ්චිත පාලනයක් අවශ්‍ය වේ. PMOSFET වල සන්නායක තත්ත්‍වයන් NMOSFET වලට ප්‍රතිවිරුද්ධ බැවින්, ද්වාර වෝල්ටීයතාවයේ ධ්‍රැවීයතාව සහ විශාලත්වය කෙරෙහි අවධානය යොමු කිරීම අවශ්‍ය වේ.
2. සම්බන්ධතාව පැටවීම
භාරය සම්බන්ධ කරන විට, PMOSFET හරහා ධාරාව නිවැරදිව ගලා යන බව සහතික කිරීම සඳහා භාරයේ ධ්‍රැවීයතාව කෙරෙහි අවධානය යොමු කළ යුතු අතර, වෝල්ටීයතා පහත වැටීම, බලශක්ති පරිභෝජනය, ආදිය වැනි PMOSFET හි කාර්ය සාධනය මත භාරයේ බලපෑම. , ද සලකා බැලිය යුතුය.
3. උෂ්ණත්ව ස්ථායීතාවය
PMOSFET වල ක්‍රියාකාරීත්වයට උෂ්ණත්වය විශාල වශයෙන් බලපානු ලබයි, එබැවින් පරිපථ සැලසුම් කිරීමේදී PMOSFET වල ක්‍රියාකාරීත්වය මත උෂ්ණත්වයේ බලපෑම සැලකිල්ලට ගත යුතු අතර, පරිපථවල උෂ්ණත්ව ස්ථායීතාවය වැඩි දියුණු කිරීම සඳහා අනුරූප පියවර ගත යුතුය.
4. ආරක්ෂණ පරිපථ
ක්‍රියාත්මක වන විට අධික ධාරා සහ අධි වෝල්ටීයතාවයෙන් PMOSFET වලට හානි වීම වැළැක්වීම සඳහා, අධි ධාරා ආරක්ෂණය සහ අධි වෝල්ටීයතා ආරක්ෂණය වැනි ආරක්ෂණ පරිපථ පරිපථයේ ස්ථාපනය කිරීම අවශ්‍ය වේ. මෙම ආරක්ෂණ පරිපථ මගින් PMOSFET ඵලදායී ලෙස ආරක්ෂා කර එහි සේවා කාලය දීර්ඝ කළ හැක.
සාරාංශයක් ලෙස, PMOSFET යනු විශේෂ ව්‍යුහයක් සහ ක්‍රියාකාරී මූලධර්මයක් සහිත MOSFET වර්ගයකි. එහි අඩු සංචලනය සහ අඩු වේගය, අඩු සංඛ්‍යාත යෙදුම් සඳහා යෝග්‍යතාවය විශේෂිත ක්ෂේත්‍රවල එය පුළුල් ලෙස අදාළ වේ. PMOSFET පරිපථ සැලසුම් කිරීමේදී, පරිපථයේ නිසි ක්‍රියාකාරිත්වය සහ විශ්වසනීයත්වය සහතික කිරීම සඳහා ගේට්ටු වෝල්ටීයතා පාලනය, පැටවුම් සම්බන්ධතා, උෂ්ණත්ව ස්ථායීතාවය සහ ආරක්ෂණ පරිපථ කෙරෙහි අවධානය යොමු කිරීම අවශ්‍ය වේ.
පසු කාලය: සැප්-15-2024
