ස්විචින් මූලද්රව්ය ලෙස, MOSFET සහ IGBT බොහෝ විට ඉලෙක්ට්රොනික පරිපථවල දක්නට ලැබේ. ඒවා පෙනුමෙන් හා ලාක්ෂණික පරාමිතීන්ගෙන් ද සමාන වේ. සමහර පරිපථ MOSFET භාවිතා කළ යුත්තේ මන්දැයි බොහෝ අය කල්පනා කරනු ඇතැයි මම විශ්වාස කරමි, අනෙක් ඒවා එසේ කරයි. IGBT?
ඔවුන් අතර වෙනස කුමක්ද? ඊළඟ,ඔලුකීඔබගේ ප්රශ්න වලට පිළිතුරු දෙනු ඇත!
a යනු කුමක්ද?MOSFET?
MOSFET, සම්පූර්ණ චීන නාමය ලෝහ-ඔක්සයිඩ් අර්ධ සන්නායක ක්ෂේත්‍ර ආචරණ ට්‍රාන්සිස්ටරයයි. මෙම ක්ෂේත්‍ර ආචරණ ට්‍රාන්සිස්ටරයේ ද්වාරය පරිවාරක තට්ටුවක් මගින් හුදකලා කර ඇති බැවින්, එය පරිවරණය කරන ලද ද්වාර ක්ෂේත්‍ර ආචරණ ට්‍රාන්සිස්ටරය ලෙසද හැඳින්වේ. MOSFET වර්ග දෙකකට බෙදිය හැකිය: "N-type" සහ "P-type" එහි "නාලිකාවේ" (වැඩ කරන වාහකයේ) ධ්‍රැවීයතාව අනුව, සාමාන්‍යයෙන් N MOSFET සහ P MOSFET ලෙසද හැඳින්වේ.
MOSFET සතුවම එහිම පරපෝෂිත ඩයෝඩ ඇත, එය VDD අධි වෝල්ටීයතාවයක් ඇති විට MOSFET දැවී යාම වැළැක්වීමට භාවිතා කරයි. මක්නිසාද යත්, අධි වෝල්ටීයතාව MOSFET ට හානියක් වීමට පෙර, ඩයෝඩය ප්‍රතිලෝමව ප්‍රතිලෝමව බිඳී විශාල ධාරාව බිමට යොමු කරයි, එමඟින් MOSFET දැවී යාම වළක්වයි.
IGBT යනු කුමක්ද?
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) යනු ට්‍රාන්සිස්ටරයකින් සහ MOSFET එකකින් සමන්විත සංයුක්ත අර්ධ සන්නායක උපාංගයකි.
IGBT හි පරිපථ සංකේත තවමත් ඒකාබද්ධ වී නොමැත. ක්රමානුරූප රූප සටහන ඇඳීමේදී, ට්‍රයිඩෝ සහ MOSFET සංකේත සාමාන්‍යයෙන් ණයට ගනු ලැබේ. මෙම අවස්ථාවේදී, ඔබට එය IGBT ද MOSFET ද යන්න ක්රමානුරූප සටහනේ සලකුණු කර ඇති ආකෘතියෙන් විනිශ්චය කළ හැකිය.
ඒ සමගම, IGBT හි ශරීර ඩයෝඩයක් තිබේද යන්න පිළිබඳවද ඔබ අවධානය යොමු කළ යුතුය. පින්තූරයේ එය සලකුණු කර නොමැති නම්, එය නොපවතින බවක් අදහස් නොවේ. නිල දත්ත විශේෂයෙන් වෙනත් ආකාරයකින් සඳහන් නොකරන්නේ නම්, මෙම ඩයෝඩය පවතී. IGBT තුළ ඇති බඳ ඩයෝඩය පරපෝෂිත නොවේ, නමුත් IGBT හි බිඳෙනසුලු ප්‍රතිලෝම ඔරොත්තු දෙන වෝල්ටීයතාවය ආරක්ෂා කිරීම සඳහා විශේෂයෙන් සකසා ඇත. එය FWD (freewheeling diode) ලෙසද හැඳින්වේ.
මේ දෙකේ අභ්යන්තර ව්යුහය වෙනස්
MOSFET හි ධ්‍රැව තුන වන්නේ මූලාශ්‍රය (S), කාණු (D) සහ ද්වාරය (G) වේ.
IGBT හි ධ්‍රැව තුන එකතු කරන්නා (C), විමෝචකය (E) සහ ද්වාරය (G) වේ.
MOSFET එකක කාණුවට අමතර ස්තරයක් එකතු කිරීම මගින් IGBT ඉදිකරනු ලැබේ. ඔවුන්ගේ අභ්යන්තර ව්යුහය පහත පරිදි වේ:
දෙකෙහි යෙදුම් ක්ෂේත්‍ර වෙනස් වේ
MOSFET සහ IGBT හි අභ්යන්තර ව්‍යුහයන් වෙනස් වන අතර එමඟින් ඒවායේ යෙදුම් ක්ෂේත්‍ර තීරණය වේ.
MOSFET හි ව්යුහය හේතුවෙන්, එය සාමාන්‍යයෙන් KA වෙත ළඟා විය හැකි විශාල ධාරාවක් ලබා ගත හැක, නමුත් පූර්ව අවශ්‍ය වෝල්ටීයතාවයට ඔරොත්තු දීමේ හැකියාව IGBT තරම් ශක්තිමත් නොවේ. එහි ප්රධාන යෙදුම් ක්ෂේත්‍ර වන්නේ බල සැපයුම් මාරු කිරීම, බැලස්ට්, අධි-සංඛ්‍යාත ප්‍රේරක උණුසුම, අධි-සංඛ්‍යාත ඉන්වර්ටර් වෙල්ඩින් යන්ත්‍ර, සන්නිවේදන බල සැපයුම් සහ අනෙකුත් අධි-සංඛ්‍යාත බල සැපයුම් ක්ෂේත්‍ර ය.
IGBT මගින් විශාල බලයක්, ධාරාවක් සහ වෝල්ටීයතාවයක් නිපදවිය හැකි නමුත් සංඛ්‍යාතය වැඩි නොවේ. දැනට, IGBT හි දෘඪ මාරු වීමේ වේගය 100KHZ දක්වා ළඟා විය හැක. IGBT වෙල්ඩින් යන්ත්‍ර, ඉන්වර්ටර්, සංඛ්‍යාත පරිවර්තක, විද්‍යුත් ආලේපන විද්‍යුත් විච්ඡේදක බල සැපයුම්, අතිධ්වනික ප්‍රේරක උණුසුම සහ වෙනත් ක්ෂේත්‍රවල බහුලව භාවිතා වේ.
MOSFET සහ IGBT හි ප්රධාන ලක්ෂණ
MOSFET සතුව ඉහළ ආදාන සම්බාධනය, වේගවත් මාරු වීමේ වේගය, හොඳ තාප ස්ථායීතාවය, වෝල්ටීයතා පාලන ධාරාව යනාදිය ලක්ෂණ ඇත. පරිපථය තුළ එය ඇම්ප්ලිෆයර්, ඉලෙක්ට්රොනික ස්විචය සහ වෙනත් අරමුණු ලෙස භාවිතා කළ හැකිය.
නව ආකාරයේ ඉලෙක්ට්රොනික අර්ධ සන්නායක උපාංගයක් ලෙස, IGBT සතුව ඉහළ ආදාන සම්බාධනය, අඩු වෝල්ටීයතා පාලන බල පරිභෝජනය, සරල පාලන පරිපථය, අධි වෝල්ටීයතා ප්‍රතිරෝධය සහ විශාල ධාරා ඉවසීමේ ලක්ෂණ ඇති අතර විවිධ ඉලෙක්ට්රොනික පරිපථවල බහුලව භාවිතා වේ.
IGBT හි කදිම සමාන පරිපථය පහත රූපයේ දැක්වේ. IGBT යනු ඇත්ත වශයෙන්ම MOSFET සහ ට්‍රාන්සිස්ටර වල එකතුවකි. MOSFET හට ඉහළ ප්‍රතිරෝධයේ අවාසි ඇත, නමුත් IGBT මෙම අඩුපාඩුව මඟහරවා ගනී. IGBT තවමත් අධි වෝල්ටීයතාවයේදී අඩු ප්‍රතිරෝධයක් ඇත. .
සාමාන්‍යයෙන්, MOSFET හි ඇති වාසිය නම් එය හොඳ අධි-සංඛ්‍යාත ලක්ෂණ ඇති අතර kHz සිය ගණනක සංඛ්‍යාතයකින් සහ MHz දක්වා ක්‍රියා කළ හැකි වීමයි. අවාසිය නම් අධි-වෝල්ටීයතා සහ අධි-ධාරා තත්වයන් තුළ ප්‍රතිරෝධය විශාල වන අතර බලශක්ති පරිභෝජනය විශාල වේ. IGBT අඩු සංඛ්‍යාත සහ අධි බල අවස්ථා වලදී, කුඩා ප්‍රතිරෝධයක් සහ ඉහළ ඔරොත්තු දෙන වෝල්ටීයතාවයක් සහිතව හොඳින් ක්‍රියා කරයි.
MOSFET හෝ IGBT තෝරන්න
පරිපථය තුළ, MOSFET බල ස්විච නළය හෝ IGBT ලෙස තෝරා ගන්නේද යන්න ඉංජිනේරුවන් බොහෝ විට මුහුණ දෙන ප්‍රශ්නයකි. පද්ධතියේ වෝල්ටීයතාවය, ධාරාව සහ මාරු කිරීමේ බලය වැනි සාධක සැලකිල්ලට ගන්නේ නම්, පහත කරුණු සාරාංශ කළ හැක:
මිනිසුන් බොහෝ විට අසන්නේ: "MOSFET හෝ IGBT වඩා හොඳද?" ඇත්තටම මේ දෙක අතර හොඳ නරක වෙනසක් නැහැ. වැදගත්ම දෙය නම් එහි සැබෑ යෙදුම දැකීමයි.
MOSFET සහ IGBT අතර වෙනස පිළිබඳව ඔබට තවමත් ප්රශ්න තිබේ නම්, ඔබට විස්තර සඳහා Olukey සම්බන්ධ කර ගත හැක.
Olukey ප්රධාන වශයෙන් WINSOK මධ්යම සහ අඩු වෝල්ටීයතා MOSFET නිෂ්පාදන බෙදාහරියි. මිලිටරි කර්මාන්තය, LED/LCD ධාවක පුවරු, මෝටර් රියදුරු පුවරු, වේගවත් ආරෝපණය, ඉලෙක්ට්රොනික සිගරට්, LCD මොනිටර, බල සැපයුම්, කුඩා ගෘහ උපකරණ, වෛද්‍ය නිෂ්පාදන සහ බ්ලූටූත් නිෂ්පාදනවල නිෂ්පාදන බහුලව භාවිතා වේ. ඉලෙක්ට්රොනික පරිමාණයන්, වාහන ඉලෙක්ට්රොනික උපකරණ, ජාල නිෂ්පාදන, ගෘහ උපකරණ, පරිගණක උපාංග සහ විවිධ ඩිජිටල් නිෂ්පාදන.
පසු කාලය: දෙසැම්බර්-18-2023
