MOSFETs සහ ට්‍රාන්සිස්ටර වල සමාන්තර න්‍යාය

සමාන්තර ට්‍රාන්සිස්ටර සහ MOSFET පිළිබඳ මූලික සිද්ධාන්තය ගැන: පළමුව, ට්‍රාන්සිස්ටරවලට සෘණ ඝාතීය උෂ්ණත්ව අගයක් ඇත, එනම් ට්‍රාන්සිස්ටරයේ උෂ්ණත්වය ඉහළ යන විට, ප්‍රතිරෝධය කුඩා වේ. දෙවනුව, MOSFET වලට ට්‍රාන්සිස්ටරවලට ප්‍රතිවිරුද්ධව ධනාත්මක ඝාතීය උෂ්ණත්ව අගයක් ඇත, එනම් උෂ්ණත්වය ඉහළ යන විට, ප්‍රතිරෝධය සෙමින් වැඩි වන බවයි.

ට්‍රාන්සිස්ටර හා සසඳන විට, සමාන්තර බල පරිපථවල ධාරාව සමාන කිරීම සඳහා MOSFET ඇත්තෙන්ම වඩාත් සුදුසු වේ. එබැවින් බල සැපයුම් පරිපථයේ ධාරාව සාපේක්ෂව විශාල වන විට, අපි සාමාන්යයෙන් shunt සඳහා සමාන්තර MOSFET භාවිතා කිරීම නිර්දේශ කරමු. අපි ධාරාව සමාන කිරීමට MOSFET තෝරා ගන්නා විට සහ එක් ආකාරයකින් ධාරාව MOSFET ධාරාව ඉක්මවා යන විට, විශාල MOSFET වල තාපය නිසා ඇතිවන MOSFET හි ධාරාව, ක්‍රියා විරහිත ප්‍රතිරෝධයට හේතු වනු ඇත. , ධාරාව අඩු කිරීම අඩු කිරීම; MOSFETs ධාරාවේ වෙනස මත පදනම්ව නිරන්තරයෙන් සකස් කර, අවසානයේ දෙක අතර වත්මන් ශේෂය අවබෝධ කර ගන්නMOSFETs.

අප සටහන් කළ යුතු එක් කරුණක් නම්: අධි ධාරා භාණ්ඩ ප්‍රවාහය සම්පූර්ණ කිරීම සඳහා ට්‍රාන්සිස්ටර ද සමාන්තරව සම්බන්ධ කළ හැකි නමුත්, එක් එක් වත්මන් ශේෂය සමඟ කටයුතු කිරීම සඳහා ඔබ ශ්‍රේණි ධාවක ප්‍රතිරෝධකයේ පදනම මත පදනම් විය යුතුය. ගැටලුවේ මැද සමාන්තර ට්‍රාන්සිස්ටරය.

ට්‍රාන්සිස්ටර සමාන්තර සම්බන්ධතාවයේ පොදු ගැටළු:

(1), දෝලනය වීම වැලැක්වීම සඳහා එක් එක් ට්‍රාන්සිස්ටරයේ ගේට්ටුව එක් එක් ධාවක ප්‍රතිරෝධයට ශ්‍රේණිගතව සම්බන්ධ කළ නොහැක.

(2), එක් එක් ට්‍රාන්සිස්ටරය හැසිරවීමට(MOSFET)අනුකූලතාව පවත්වා ගැනීම සඳහා විවෘත කාලය සහ සමීප කාලය, මක්නිසාද යත්, අනුකූල නොවේ නම්, පළමු නල මාර්ගය විවෘත කිරීම හෝ නල මාර්ගය වසා දැමීම අධික ධාරාව විනිවිද යාම නිසා විනාශ වනු ඇත.

(3), සහ අවසාන වශයෙන්, අපි එක් එක් ට්‍රාන්සිස්ටරයේ ප්‍රභවයට සමාන කිරීමේ ප්‍රතිරෝධයක් සමඟ ශ්‍රේණිගත කිරීමට හැකි වීමට කැමතියි, ඇත්ත වශයෙන්ම, එය සිදු කිරීම අවශ්‍ය නොවේ.

Olueky ආක්‍රමණශීලී වෙළඳපල සංවර්ධනය සහ ඵලදායී සම්පත් ඒකාබද්ධ කිරීම තුළින් ආසියාවේ හොඳම සහ වේගයෙන්ම වර්ධනය වන නියෝජිතයන්ගෙන් එකක් බවට පත්ව ඇත. ලෝකයේ වටිනාම නියෝජිතයා බවට පත්වීමයිඔලුකේගේඉලක්කය.