ඉන්වර්ටරයක MOSFET හි තාපයට හේතු මොනවාද?

ඉන්වර්ටරයMOSFETsස්විච්පන තත්වයක ක්රියාත්මක වන අතර නල හරහා ගලා යන ධාරාව ඉතා ඉහල වේ. නළය නිවැරදිව තෝරාගෙන නොමැති නම්, රියදුරු වෝල්ටීයතා විස්තාරය ප්රමාණවත් නොවේ නම් හෝ පරිපථ තාපය විසුරුවා හැරීම හොඳ නැත, එය MOSFET රත් වීමට හේතු විය හැක.

1, ඉන්වර්ටර් MOSFET උණුසුම් කිරීම බරපතල වේ, MOSFET තෝරාගැනීම කෙරෙහි අවධානය යොමු කළ යුතුය

මාරු වන තත්වයේ ඉන්වර්ටරයේ MOSFET, සාමාන්‍යයෙන් එහි කාණු ධාරාව හැකි තරම් විශාල, ප්‍රතිරෝධය හැකි තරම් කුඩා අවශ්‍ය වන අතර එමඟින් නලයේ සංතෘප්ත වෝල්ටීයතා පහත වැටීම අඩු කළ හැකි අතර එමඟින් පරිභෝජනයෙන් නළය අඩු කරයි, තාපය අඩු කරයි.

MOSFET අත්පොත පරීක්ෂා කරන්න, MOSFET හි ඔරොත්තු දෙන වෝල්ටීයතා අගය වැඩි වන තරමට එහි ප්‍රතිරෝධය වැඩි වන අතර ඉහළ කාණු ධාරාවක් සහ නලයේ අඩු ඔරොත්තු දෙන වෝල්ටීයතා අගයක් ඇති ඒවා, එහි ප්‍රතිරෝධය සාමාන්‍යයෙන් දස ගණනකට වඩා අඩු බව අපට පෙනී යනු ඇත. මිලියන.

5A බර ධාරාවක් උපකල්පනය කරමින්, අපි සාමාන්‍යයෙන් භාවිතා කරන ඉන්වර්ටරය තෝරා ගන්නේ MOSFET RU75N08R සහ වෝල්ටීයතාවයට ඔරොත්තු දීමේ අගය 500V 840 විය හැකිය, ඒවායේ කාණු ධාරාව 5A හෝ ඊට වැඩි වේ, නමුත් නල දෙකේ ප්‍රතිරෝධය වෙනස් වේ, එකම ධාරාව ධාවනය කරන්න. , ඔවුන්ගේ තාප වෙනස ඉතා විශාල වේ. 75N08R මත-ප්‍රතිරෝධය 0.008Ω පමණක් වන අතර, 840 හි ප්‍රතිරෝධය 0.85Ω වන අතර, නළය හරහා ගලා යන භාර ධාරාව 5A වන විට, 75N08R නල වෝල්ටීයතා පහත වැටීම 0.04V පමණක් වන අතර, මෙම අවස්ථාවේදී, MOSFET නල පරිභෝජනය වේ. 0.2W පමණක් වන අතර, 840 නල වෝල්ටීයතා පහත වැටීම දක්වා විය හැක 4.25W, නල පරිභෝජනය 21.25W තරම් ඉහළය. මේකෙන් පේනවා, ඉන්වර්ටරයේ MOSFET එකේ ප්‍රතිරෝධය කුඩා වන තරමට, බටයේ ප්‍රතිරෝධය විශාලයි, අධි ධාරාවක් යටතේ බට පරිභෝජනය වැඩියි, ඉන්වර්ටරයේ MOSFET එකේ ප්‍රතිරෝධය කුඩායි. හැකි තරම්.

2, රියදුරු වෝල්ටීයතා විස්තාරයේ ධාවන පරිපථය ප්රමාණවත් නොවේ

MOSFET යනු වෝල්ටීයතා පාලන උපාංගයකි, ඔබට නල පරිභෝජනය අඩු කිරීමට අවශ්‍ය නම්, තාපය අඩු කරන්න,MOSFETගේට් ඩ්‍රයිව් වෝල්ටීයතා විස්තාරය ස්පන්දන දාරය බෑවුම් සහ කෙළින් ධාවනය කිරීමට ප්‍රමාණවත් විය යුතුය, ඔබට නල වෝල්ටීයතා පහත වැටීම අඩු කළ හැකිය, නල පරිභෝජනය අඩු කළ හැකිය.

3, MOSFET තාපය විසුරුවා හැරීම හොඳ හේතුවක් නොවේ

ඉන්වර්ටර්MOSFETඋනුසුම් වීම බරපතල ය. ඉන්වර්ටරය MOSFET බලශක්ති පරිභෝජනය විශාල බැවින්, කාර්යය සඳහා සාමාන්‍යයෙන් ප්‍රමාණවත් තරම් විශාල හීට්සින්ක් බාහිර ප්‍රදේශයක් අවශ්‍ය වන අතර, හීට්සින්ක් අතර ඇති බාහිර හීට්සින්ක් සහ MOSFET සමීපව සම්බන්ධ විය යුතුය (සාමාන්‍යයෙන් තාප සන්නායක සිලිකොන් ග්‍රීස් සමඟ ආලේප කිරීම අවශ්‍ය වේ. ), බාහිර හීට්සින්ක් කුඩා නම් හෝ MOSFET ගේම හීට්සින්ක් සමඟ සම්බන්ධ වීම ප්රමාණවත් තරම් සමීප නොවේ නම්, නලයට හේතු විය හැක. උණුසුම් කිරීම.

ඉන්වර්ටර් MOSFET උණුසුම් කිරීම බරපතල සාරාංශයට හේතු හතරක් ඇත.

MOSFET සුළු උනුසුම් වීම සාමාන්‍ය සංසිද්ධියකි, නමුත් බරපතල උනුසුම් වීම, නළය පුළුස්සා දැමීමට පවා හේතු වේ, පහත හේතු හතරක් ඇත:

1, පරිපථ නිර්මාණයේ ගැටලුව

MOSFET ස්විචින් පරිපථ තත්වයට වඩා රේඛීය මෙහෙයුම් තත්වයක වැඩ කිරීමට ඉඩ දෙන්න. එය MOSFET රත් වීමට එක් හේතුවක් ද වේ. N-MOS මාරු කිරීම සිදු කරන්නේ නම්, G-මට්ටමේ වෝල්ටීයතාවය සම්පූර්ණයෙන්ම ක්‍රියාත්මක වීමට බල සැපයුමට වඩා V කිහිපයක් වැඩි විය යුතු අතර P-MOS ප්‍රතිවිරුද්ධ වේ. සම්පූර්ණයෙන්ම විවෘත නොවන අතර වෝල්ටීයතා පහත වැටීම ඉතා විශාල බැවින් බලශක්ති පරිභෝජනය, සමාන DC සම්බාධනය විශාල වේ, වෝල්ටීයතා පහත වැටීම වැඩි වේ, එබැවින් U * I ද වැඩි වේ, පාඩුව යනු තාපයයි. පරිපථයේ සැලසුමේ වඩාත්ම වළක්වා ඇති දෝෂය මෙයයි.

2, වැඩි සංඛ්‍යාතයක්

ප්‍රධාන හේතුව සමහර විට අධික ලෙස පරිමාව ලුහුබැඳීම, එහි ප්‍රතිඵලයක් ලෙස සංඛ්‍යාතය වැඩි වීම, විශාල මත MOSFET පාඩු සිදු වීම නිසා තාපය ද වැඩි වේ.

3, ප්රමාණවත් තාප නිර්මාණය නොවේ

ධාරාව ඉතා ඉහළ නම්, MOSFET හි නාමික ධාරා අගය, සාක්ෂාත් කර ගැනීම සඳහා සාමාන්‍යයෙන් හොඳ තාප විසර්ජනයක් අවශ්‍ය වේ. එබැවින් හැඳුනුම්පත උපරිම ධාරාවට වඩා අඩුය, එය නරක ලෙස රත් විය හැක, ප්රමාණවත් තරම් සහායක තාප සින්ක් අවශ්ය වේ.

4, MOSFET තේරීම වැරදියි

බලය පිළිබඳ වැරදි විනිශ්චය, MOSFET අභ්‍යන්තර ප්‍රතිරෝධය සම්පූර්ණයෙන්ම නොසලකන අතර, එහි ප්‍රතිඵලයක් ලෙස මාරුවීමේ සම්බාධනය වැඩි වේ.