නරක ලෙස රත් වන මගේ MOSFET නිවැරදි කිරීමට මා කුමක් කළ යුතුද?

MOSFETකුඩා ධාරා උණුසුම හේතු වේ

1, ගැටලුවේ පරිපථ මූලධර්මය වන්නේ MOSFET මාරු කිරීමේ තත්වයට වඩා රේඛීය ක්‍රියාකාරිත්වයේ ක්‍රියා කිරීමට ඉඩ දීමයි. මෙයද MOSFET තාපයට හේතුවකි. N-MOS ස්විචින්, G-මට්ටමේ මෙහෙයුම් වෝල්ටීයතාවය මාරු කිරීමේ බල සැපයුමට වඩා V කිහිපයක්, සම්පූර්ණයෙන්ම සක්‍රිය සහ අක්‍රිය වීම සඳහා, P-MOS යනු අනෙක් පැත්තයි. සම්පූර්ණයෙන්ම ක්‍රියාත්මක නොවන අතර අලාභය ඉතා විශාල බැවින් ප්‍රතිදාන බලය විසර්ජනය වේ, සමාන පරිපථ DC ලාක්ෂණික සම්බාධනය විශාල වේ, අලාභය පුළුල් වේ, එබැවින් U * I ද පුළුල් වේ, ක්ෂය වීම තාපය නියෝජනය කරයි. මෙය ඉතාමත්ම වැළකුණු වැරදි සැලසුම් වැඩසටහන් පාලන පරිපථයයි.

2, සංඛ්‍යාතය ඉතා ඉහළ ය, ප්‍රධාන වශයෙන් සමහර විට පරිපූර්ණ පරිමාවක් සඳහා ඕනෑවට වඩා ලුහුබැඳීම, සංඛ්‍යාත වැඩි දියුණු කිරීම, පරිභෝජනය ප්‍රසාරණය කිරීම මත MOSFET, එබැවින් තාපය ද වැඩි වේ.

3, ප්‍රමාණවත් තාප බැහැර කිරීමේ සැලසුම් වැඩසටහනක් කර නැත, ධාරාව ඉතා ඉහළ ය, MOSFET ඉවසීමේ වත්මන් අගය, සාමාන්‍යයෙන් හොඳ තාප බැහැර කිරීමක් පවත්වා ගත යුතුය. එමනිසා, හැඳුනුම්පත ඉහළ ධාරාවට වඩා අඩුය, එය වඩාත් බැරෑරුම් ලෙස රත් වීමටද ඉඩ ඇත, තාප සින්ක් සඳහා සහාය වීමට ප්‍රමාණවත් විය යුතුය.

4, MOSFET මාදිලිය තේරීම නිවැරදි නොවේ, නිමැවුම් බලය නිවැරදි නොවේ, MOSFET ප්රතිරෝධය සැලකිල්ලට නොගනී, එහි ප්රතිඵලයක් ලෙස මාරු කිරීමේ ලක්ෂණ සම්බාධනය පුළුල් වේ.

MOSFET කුඩා ධාරා උණුසුම වඩාත් බරපතලයි විසඳන්නේ කෙසේද?